本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及存儲系統，存儲器包括：存儲陣列，包括沿第一方向和第二方向呈陣列排布的多個存儲單元，第一方向和第二方向不同；驅動器，與沿第一方向延伸的多條控制線連接、或與沿第二方向延伸的多條控制線連接，每條控...

本申請提供一種存儲單元及其操作方法，該存儲單元包括襯底、位于襯底上的第一電極和第二電極、存儲層和半導體插層。第二電極位于第一電極遠離襯底的一側，第一電極和第二電極之間用于施加偏壓。存儲層位于第一電極和第二電極之間且與第一電極接觸，存儲層...

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲陣列的修復方法及存儲器，存儲陣列的修復方法包括：對存儲陣列中的多條控制線執行漏電測試，得到第一測試結果，第一測試結果包括每條控制線的漏電表征值，漏電表征值用于表征對應控制線的漏電電流值是否大于漏...

本申請提供一種相變存儲器陣列的保持電流確定方法、裝置及介質，方法包括：獲取對相變存儲器陣列執行置位操作的置位電流范圍，獲取置位電流范圍內多個置位電流分別施加在相變存儲器陣列時的閾值電壓分布；根據每個置位電流對應的閾值電壓分布的預設倍數的...

本申請提供一種僅選擇存儲器，包括沿第一方向堆疊的第一存儲單元和第二存儲單元，第一存儲單元包括沿第一方向依次疊置的第一電極層、第一存儲層和第二電極層，第二存儲單元包括沿第一方向依次疊置的第三電極層、第二存儲層和第四電極層。在驅動過程中，第...

本申請提供一種半導體器件及其形成方法，該半導體器件包括多個陣列區塊，每個陣列區塊包括多條第一地址線和多條第二地址線，第一地址線沿第一方向延伸，第二地址線沿第二方向延伸，且第一地址線和第二地址線異面交叉，第一地址線在第一方向上具有第一尺寸...

本申請提供一種半導體結構及其檢測方法，該半導體結構包括襯底和位于襯底上的多個地址檢測部，多個地址檢測部相互間隔，且沿第一方向和第二方向呈陣列分布，多個地址檢測部包括與襯底電連接的第一地址檢測部和相對于襯底浮置的第二地址檢測部。因此可以采...

本公開實施例公開了一種固定膜組件，應用于晶圓卡盤表面固定緩沖膜；所述固定膜組件包括對準部和固定部；所述對準部配置為對準所述緩沖膜的缺口，同時配置為插入所述晶圓卡盤邊緣的豁口內且可沿第一方向滑動，帶動所述緩沖膜貼近所述晶圓卡盤表面；所述固...

本申請涉及半導體結構領域，提供了一種相變存儲器，包括相變層；分別位于所述相變層的相對兩側的第一電極結構和所述第二電極結構；所述第一電極結構遠離所述相變層的部分的導熱率大于其靠近所述相變層的部分的導熱率。本申請提供一種相變存儲器，通過將相...

本申請提供一種半導體器件及其形成方法，該半導體器件包括襯底、位于襯底上的控制電路層、位于控制電路層表面的第一導電插塞、存儲器件層和第二導電插塞。存儲器件層位于第一導電插塞上，存儲器件層包括異面交叉的第一地址線和第二地址線，第一地址線位于...

本公開實施例提供一種半導體結構及其檢測方法。該半導體結構包括：設于襯底上的第一區域和設于所述第一區域一側的第二區域；所述第一區域中設有存儲結構；所述第二區域中設有和所述存儲結構間隔且和所述襯底垂直的檢測結構，所述檢測結構包括：處于浮置狀...

本申請提供一種半導體器件的形成方法，包括提供襯底；在襯底上形成多個器件結構，相鄰器件結構之間具有溝槽；在溝槽內形成間隔層，間隔層的表面低于器件結構遠離襯底一側的頂部表面；在間隔層表面形成第一絕緣層；在第一絕緣層表面形成第二絕緣層，第二絕...

本申請提供一種半導體器件及其形成方法，該半導體器件包括若干相互分立的存儲單元、側壁保護層、隔熱層和導熱結構。側壁保護層位于存儲單元的側壁；隔熱層位于相鄰存儲單元之間，導熱結構位于側壁保護層與隔熱層之間，且導熱結構的熱導率大于隔熱層的熱導...

本公開涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器，存儲器包括：存儲單元陣列，包括沿第一方向排布的第一邊緣區域、連接區域和第二邊緣區域，且所述連接區域位于所述第一邊緣區和第二邊緣區之間；若干沿所述第一方向延伸的驅動線，每一所述驅動線耦接沿所述...

本公開涉及存儲器領域，尤其涉及一種存儲器的監控方法及存儲器，其中，存儲器的監控方法，包括：基于操作存儲單元獲取測試存儲單元和對照存儲單元，所述測試存儲單元與所述操作存儲單元相鄰，所述對照存儲單元與所述操作存儲單元之間為第一距離，所述測試...

本申請提供一種半導體器件以及半導體器件的操作方法，所述半導體器件包括：雙向閾值開關器件，具有供電性連接的第一端與第二端；以及內部開關電路，用于連接所述第一端與所述第二端，并用于接收外部信號，且用于使所述雙向閾值開關器件受施加一個偏壓時間...

本公開實施例提供了一種半導體結構，包括：襯底；相變存儲單元，相變存儲單元位于襯底上，第一導電線，第一導電線位于相變存儲單元上且沿第一方向延伸。第一方向平行于襯底的平面，第一應力改善層，第一應力改善層與第一導電線接觸，且至少包含位于第一導...

本公開實施例公開了一種存儲器，該存儲器包括：襯底，所述襯底內設置有散熱結構；位于所述襯底上的半導體結構。

本申請公開了一種相變存儲器及操作方法，該相變存儲器包括字線、位線以及存儲模塊，通過存儲模塊在置位操作中連接施加有反向電壓差的字線與位線，可以減小存儲模塊的閾值電壓，從而可以在保持存儲模塊在復位操作后的閾值電壓不變的情況下，增大存儲模塊在...

本申請提供一種半導體器件以及半導體器件的制備方法，所述半導體器件包括：突觸單元，包括有突觸電路，所述突觸電路包括至少一個第一傳導元，并用于接收至少一個輸入信號，且輸出至少一個突觸脈沖信號；以及神經元單元，包括有至少一個積發電路，所述積發...