本申請實施例公開了一種數據讀取方法、僅選擇器存儲器及存儲器系統。數據讀取方法包括：將選定字線的電壓升高至字線讀取電壓，并檢測選定位線的位線讀取電壓；響應于選定位線的位線讀取電壓小于參考電壓，讀取目標數據為0；將選定位線的電壓升高至第一補...

本公開實施例提供了一種相變存儲器的操作方法、電路和相變存儲器，該方法包括：確定相變存儲器單元所處的生命周期；根據生命周期，調整預設參數的值；預設參數為與寫操作有關的參數。本公開實施例能夠使相變存儲器單元在全生命周期性能維持穩定，改善性能...

本公開提供了一種半導體器件和半導體系統，所述半導體器件包括至少一個存儲層和與存儲層耦接的外圍電路；其中，每個存儲層包括多個存儲單元、多個第一導電線和多個第二導電線；存儲單元在第一方向上位于第一導電線和第二導電線之間；沿第二方向排布的多個...

本申請實施例公開了一種相變存儲器的測試結構及測試方法。測試結構包括：多層堆疊結構。每層堆疊結構包括：陣列區和冗余區；其中，冗余區包圍部分陣列區。多層堆疊結構沿第一方向錯位堆疊。每層堆疊結構的陣列區沿第一方向的投影相互重合。

本公開涉及一種相變存儲器及存儲器系統，其中，相變存儲器包括：存儲陣列和外圍電路；其中，外圍電路，耦接存儲陣列，被配置為對存儲陣列中的目標存儲單元進行初次讀取操作，獲取第一讀取結果；以及，在第一讀取結果的誤碼率大于等于第一預設值的情況下，...

本申請實施例公開了一種相變存儲器，涉及存儲器技術領域，能夠降低相變存儲單元的溫度對其周圍的相變存儲單元的寫次數的影響，降低相變存儲器的寫操作過程中發生信號串擾幾率，提高相變存儲器的寫次數，提高相變存儲器的產品性能。相變存儲器包括相變存儲...

本申請提供了一種存儲器件的磨損均衡控制方法及存儲器系統，存儲器系統包括存儲器件、磨損均衡控制器及處理器，存儲器件包括多個存儲區域單元，磨損均衡控制器，位于所述存儲器件內或外且被配置為對存儲器件的存儲區域單元進行磨損均衡控制，處理器被配置...

本技術公開了一種半導體器件、存儲系統及電子設備；半導體器件包括第一電極、存儲層以及第二電極；存儲層包括相對設置的第一表面和第二表面、以及連接于第一表面和第二表面之間的第一側面，第一電極位于第一表面的一側，第二電極位于第二表面的一側；其中...

本申請公開一種用于拋光有機介質層的拋光組合物及半導體器件的制造方法，拋光組合物包括A組分和B組分。A組分為磨料溶液，B組分包括表面活性劑和添加劑。添加劑為4?羥基苯甲酸。在半導體器件制造過程中，該拋光組合物能提升對有機介質層的平坦化效果...

本申請提供了一種對準標記結構及半導體結構，包括位于標記區內的：第一標記，位于第一器件層內，所述第一標記構成多個第一標記組區；位于第二器件層內的標記開口，所述第二器件層位于所述第一器件層表面，所述標記開口與所述第一標記組區一一對應，所述標...

本申請提供了一種存儲器及其制備方法，該存儲器包括存儲單元、地址線和保護層，地址線位于所述存儲單元的一側，保護層位于所述地址線遠離所述存儲單元的一側。由于保護層覆蓋地址線的頂部，因此可以減少地址線的在制備過程中的損失，增大地址線頂部的尺寸。

本申請提供了一種存儲器的測試系統和測試方法，測試系統包括測試裝置和處理器。測試裝置通過設置第二電壓檢測模塊來檢測第二測試電壓，從而來監控第二存儲單元受到第一存儲單元干擾所用的時間，進而可以得到第一存儲單元的操作時間。并通過設置第一電壓檢...

本申請公開了一種半導體器件及其制造方法。制造方法包括：于基底層上形成沿第一方向堆疊的存儲疊層，存儲疊層包括存儲層；形成沿第一方向貫穿存儲層的第一貫穿槽；以及采用包括SiH<subgt;4</subgt;和第一含氮反應物的第一...

本申請提供一種存儲器以及存儲器的操作方法，所述操作方法包括：對存儲陣列中的標定存儲單元，以第一電流進行重置操作；以及對所述存儲陣列中與所述標定存儲單元相鄰的至少一個相鄰存儲單元，以第二電流進行弱重置操作，所述第二電流小于所述第一電流。所...

本公開實施例提供一種半導體器件及其制造方法。所述方法包括：形成沿第一方向間隔排布的多個存儲單元以及沿第一方向間隔排布的多條第一地址線；每一存儲單元與對應的第一地址線耦接且沿第二方向層疊設置；第一方向與第二方向垂直；形成第一材料層；第一材...

本申請提供了一種相變存儲器的形成方法。其中，相變存儲器的形成方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成復合存儲層；在所述復合存儲層上形成若干初始掩膜結構，所述初始掩膜結構暴露出部分所述復合存儲層，所述初始掩膜結構包括第一掩膜層以及位于所述第一...

本申請提供了一種存儲器及其制備方法，先在基底上形成存儲疊層陣列和第一介質層，存儲疊層陣列包括間隔設置的存儲疊層和位于存儲疊層遠離基底一側的圖案化掩膜層，第一介質層填充于相鄰存儲疊層之間以及存儲疊層陣列的外圍區域。然后去除圖案化掩膜層，接...

本公開涉及一種存儲顆粒及應用于存儲顆粒的數據巡檢方法，其中，存儲顆粒包括：外圍電路和存儲陣列。外圍電路，耦接存儲陣列，被配置為接收讀取驗證命令，并基于讀取驗證命令從存儲陣列中讀取對應的讀出數據，以及，對讀出數據進行比對統計。這樣，讀出數...

本申請公開了一種相變存儲器及操作方法，該相變存儲器通過根據待寫入數據與存儲陣列中的已存儲數據的比較結果生成去重控制信號，可以以存儲陣列為單位對待寫入數據與已存儲數據進行一次比較，并在去重控制信號的控制下通過調整位線與存儲單元之間的連接狀...

本申請提供一種相變存儲器及其制作方法和存儲系統，相變存儲器包括：選通層；第一電極層，位于所述選通層上；相變存儲層，位于所述第一電極層上；其中，所述第一電極層包括第一子電極層和第二子電極層，所述第一子電極層位于所述第二子電極層遠離所述選通...