本申請公開一種研磨裝置及其控制方法。研磨裝置包括：研磨組件、測量單元和控制單元。研磨組件包括研磨頭和研磨墊，研磨頭用于將待研磨晶圓按壓于研磨墊表面。測量單元與研磨組件耦接，并被配置為確定實際測量值，實際測量值表征測量單元與輸出至研磨組件...

本公開提供了一種僅選擇器存儲器、存儲器系統，該僅選擇器存儲器包括：存儲單元陣列和與存儲單元陣列耦接的外圍電路；存儲單元陣列包括多個存儲單元，外圍電路被配置為：對與多個存儲單元中的目標存儲單元耦接的導電線施加讀取脈沖以對目標存儲單元執行讀...

本申請公開了一種SOM存儲器件及其制造方法，應用于半導體技術領域。該方案中，制備初始疊層結構；對初始疊層結構執行第一刻蝕操作，使初始疊層結構形成若干中間疊層結構；若干中間疊層結構沿第二方向延伸且在第三方向相互平行；對若干中間疊層結構執行...

本申請提供了一種存儲材料、SOM存儲器及其制造方法，本申請提供的存儲材料在GeSeAsIn材料體系中摻入Si，用于SOM存儲器時，能夠抑制SOM存儲器開啟時導電細絲的生長，從而降低SOM存儲器的漏電和漂移，提高其delta?V，有效改善...

本公開提供了一種半導體結構及其制造方法，該半導體結構的制造方法包括：提供襯底；在第一區域的襯底上依次形成第一導電層和第一存儲單元層；在第一存儲單元層上依次形成位于第一區域和第二區域的第二導電層、第二存儲單元層和第三導電層；第二區域環繞且...

本申請公開了一種相變存儲器，可用于半導體器件領域，該相變存儲器包括：存儲單元、線性阻擋層、第一信號線以及第二信號線；其中，第一信號線位于存儲單元的第一側，第二信號線位于存儲單元的第二側；線性阻擋層覆蓋于存儲單元的側壁，存儲單元的側壁與第...

本申請提供一種半導體器件的測試方法、測試裝置、電子設備和介質，通過獲取雙向閾值開關在關閉階段的電流電壓關系模型，以獲取雙向閾值開關在關閉階段的差分電阻絕對值隨電壓的變化關系模型，從而獲取最大差分電阻絕對值，并將這個最大差分電阻絕對值作為...

本申請提出一種相變存儲器的控制方法和相變存儲器。該方法包括：獲取存儲單元的數量；在存儲單元的數量小于數量閾值的情況下，對多個存儲單元中的第一目標存儲單元進行第一復位操作，第一復位操作包括：在第一時間段，對第一目標存儲單元耦接的第一字線施...

本申請涉及一種相變存儲器，上述相變存儲器包括若干間隔設置的存儲單元組，每個存儲單元組包括沿第一方向交替堆疊的至少一個第一存儲單元和至少一個第二存儲單元；第一存儲單元包括沿第一方向依次層疊的第一選通層和第一存儲層，第二存儲單元包括沿第一方...

本公開實施例提供一種半導體器件及其制造方法。所述方法包括：形成依次層疊設置的第一電極層、選通層、第二電極層、相變存儲層以及第三電極層；其中，第一電極層、第二電極層和第三電極層中的至少一個電極層的表面均方根粗糙度的值在0.1納米至0.4納...

本申請涉及半導體相關技術領域,提供了一種存儲器的形成方法和研磨設備，其中存儲器的形成方法包括：形成待處理晶圓，待處理晶圓包括基底以及位于基底表面的器件層，器件層包括多個器件結構以及隔離層，隔離層位于器件結構之間以及器件結構遠離基底一側表...

本申請公開了一種相變存儲器，涉及半導體相關技術領域，用于解決相變存儲器的可靠性低的問題。本申請提供的相變存儲器包括若干存儲單元組，各存儲單元組包括兩個沿第一方向堆疊的存儲單元；各存儲單元均包括沿第一方向依次堆疊設置的第一電極、選通層、第...

本申請涉及一種相變存儲器的形成方法和相變存儲器，在保護結構的側壁形成了犧牲層，并以犧牲層、保護結構和相變結構為掩膜刻蝕選擇單元層，因此犧牲層在該刻蝕工藝中保護了內側的保護結構，使得保護結構在該刻蝕過程中厚度和質量基本不受損，從而在后續制...

本發明公開一種相變存儲器的自適應控制方法、相變存儲器、存儲介質及電子設備，屬于半導體技術領域，該方法包括在最小寫入到讀取時間間隔內，向存儲單元寫入全0數據模式；對寫入全0數據模式的存儲單元執行讀取操作，獲得檢測數據；根據檢測數據，獲取至...

本發明公開一種芯片測試方法和電子設備，屬于半導體技術領域，該方法首先獲取被測芯片各字節通道的電平信號，通過參考電壓校準確定各通道的電平參考值。隨后，基于該參考值獨立執行分字節時序測試：在固定時鐘周期下，依次為每個字節通道配置多級讀取延遲...

本申請提供一種僅選擇存儲器及其形成方法，先提供襯底，襯底包括存儲區和對準區。然后在襯底上形成器件結構，器件結構包括位于存儲區的第一存儲單元和第一導線、位于對準區的第一介質層、以及位于第一介質層內的第一對準標記，第一導線位于第一存儲單元遠...

本發明提供了一種等離子刻蝕的清洗方法，包括步驟：將半導體器件半成品經等離子體刻蝕后先在氨水稀釋液中進行第一次浸泡，然后在檸檬酸清洗液中進行第二次浸泡；所述半導體器件半成品包括至少一層含有碳元素的薄膜與至少一層含有OTS選通材料的薄膜。與...

本申請實施例提供一種測試設備及系統，測試設備包括：數據庫模塊，被配置為存儲期望數據；比較模塊，被配置為對期望數據與測試數據進行比較，以獲得比較結果，期望數據與比較結果對應；數據選擇模塊，被配置為根據期望數據以及期望數據與比較結果的對應關...

本申請提供一種存儲結構及其制造方法，存儲結構包括層疊設置的字線、相變存儲單元和位線，相變存儲單元包括相變材料層，字線和位線的延伸方向相交，相變存儲單元的側壁上具有石墨烯層和位于石墨烯層和側壁之間的介質層，石墨烯層不同時與字線和位線接觸，...

本申請提供了一種存儲器和存儲系統，該存儲器包括襯底、相互分立的存儲單元和第一阻擋結構。存儲單元位于襯底上，第一阻擋結構位于存儲單元的側壁。第一阻擋結構包括第一氮化層、第一三維氮化鎵層和第一氧化層，第一氮化層位于存儲單元與第一三維氮化鎵層...