本申請(qǐng)公開了一種保持電流確定方法及相關(guān)裝置，通過對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元進(jìn)行N次寫操作和N次讀操作，得到N次閾值電壓反饋結(jié)果。通過對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第i次寫操作，確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)狀態(tài)。在針對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元第i次讀操作的過程中，施加第i次第一測(cè)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，包括：累計(jì)存儲(chǔ)器中個(gè)別被寫入存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)寫入次數(shù)，而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于個(gè)別所述被寫入存儲(chǔ)單元的寫入累計(jì)數(shù)值；以及，依據(jù)個(gè)別所述被寫入存儲(chǔ)單元的相鄰存儲(chǔ)單元的樣態(tài)，在所述寫入累計(jì)數(shù)值到達(dá)根據(jù)所述樣態(tài)而設(shè)定的閾值...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N研磨墊修整盤更換裝置及研磨墊修整盤更換系統(tǒng)，研磨墊修整盤更換裝置包括第一承載臺(tái)、第一驅(qū)動(dòng)件及第一腔體，通過第一承載臺(tái)以及第一腔體的配合可實(shí)現(xiàn)待換上的研磨墊修整盤以及待換下的研磨墊修整盤的自動(dòng)替換，從而減少相關(guān)技術(shù)中人工替...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底和位于襯底上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記層，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記層包括介質(zhì)層和位于介質(zhì)層中的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬圖形，第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括多個(gè)第一矩形標(biāo)記組，多個(gè)第一矩形標(biāo)記組配置于一個(gè)矩形區(qū)域內(nèi)，且第一矩形標(biāo)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N研磨裝置，該研磨裝置包括研磨盤和與所述研磨盤相配合的研磨頭、溫度傳感器和激光發(fā)生器。溫度傳感器位于所述研磨盤的工作面一側(cè)，且被配置獲取所述研磨盤的溫度信號(hào)并輸出所述溫度信號(hào)。激光發(fā)生器位于所述研磨盤的所述工作面一側(cè)，且與...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)器及其形成方法，涉及半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其中存儲(chǔ)器的形成方法包括提供第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、位于第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一導(dǎo)電層以及隔離層。第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括陣列排布的存儲(chǔ)單元。隔離層位于相鄰存儲(chǔ)單元之間、相鄰第一導(dǎo)電層之間以及第一...

本申請(qǐng)涉及一種僅選擇存儲(chǔ)器，包括襯底和位于襯底上沿第一方向堆疊的至少一個(gè)存儲(chǔ)單元組。每個(gè)存儲(chǔ)單元組包括沿第一方向依次堆疊的第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元，第一存儲(chǔ)單元包括第一存儲(chǔ)層，第二存儲(chǔ)單元包括第二存儲(chǔ)層，第二存儲(chǔ)層與第一存儲(chǔ)層的材料和...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N有半導(dǎo)體器件及其形成方法，先在半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體單元的間隙和周圍形成初始有機(jī)旋涂介質(zhì)層，在初始有機(jī)旋涂介質(zhì)層的材料中，碳元素具有第一含量。采用氧化工藝對(duì)初始有機(jī)旋涂介質(zhì)層進(jìn)行處理，形成氧化后的有機(jī)旋涂介質(zhì)層，在氧化后的有機(jī)...

本申請(qǐng)公開了一種相變存儲(chǔ)器，可用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，該相變存儲(chǔ)器包括陣列設(shè)置的相變存儲(chǔ)單元，相變存儲(chǔ)單元包括相變存儲(chǔ)材料和間隔層；間隔層覆蓋于相變存儲(chǔ)材料的側(cè)壁；間隔層包括第一間隔層和第二間隔層；相變存儲(chǔ)材料、第一間隔層以及第二間隔層由內(nèi)至外...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，包括：累計(jì)存儲(chǔ)器中多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的個(gè)別操作次數(shù)，而產(chǎn)生分別對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的多個(gè)累計(jì)數(shù)值；判斷所述多個(gè)累計(jì)數(shù)值中對(duì)應(yīng)于較多累計(jì)操作次數(shù)與較少累計(jì)操作次數(shù)的兩個(gè)所述累計(jì)數(shù)值的差值；以及在所述差值等于預(yù)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種存儲(chǔ)健康測(cè)試方法及存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)健康測(cè)試方法包括：獲取待測(cè)存儲(chǔ)塊；在所述待測(cè)存儲(chǔ)塊中獲取至少一個(gè)地址組合，并于所述至少一個(gè)地址組合中選取目標(biāo)地址組合；其中，每一所述地址組合中包括多個(gè)測(cè)試地址，且所...

本申請(qǐng)公開了一種電壓確定電路及存儲(chǔ)器，電壓確定電路包括第一確定模塊、第二確定模塊以及第三確定模塊，通過第二確定模塊基于目標(biāo)錯(cuò)誤數(shù)目和第一確定模塊提供的第一讀取電位值確定字線的第二讀取電位值，第三確定模塊基于第一讀取電位值或者第二讀取電位...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種版圖檢測(cè)方法及電子設(shè)備，版圖檢測(cè)方法包括：獲取待檢測(cè)原始文件；提取所述待檢測(cè)原始文件，以獲取布局網(wǎng)表以及與所述布局網(wǎng)表對(duì)應(yīng)的原理圖網(wǎng)表；提供原始檢測(cè)規(guī)則文件，所述原始檢測(cè)規(guī)則文件用于進(jìn)行布局與原...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種原位選通存儲(chǔ)器，所述原位選通存儲(chǔ)器包括：襯底；位于所述襯底上多個(gè)存儲(chǔ)陣列；所述存儲(chǔ)陣列包括多個(gè)原位選通單元；至少一個(gè)散熱結(jié)構(gòu)；所述散熱結(jié)構(gòu)包括：與至少一個(gè)所述存儲(chǔ)陣列的第一側(cè)面相鄰的第一散熱單元；和/或，與至少一個(gè)所...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N相變存儲(chǔ)器，該相變存儲(chǔ)器包括襯底和位于襯底上沿第一方向堆疊的至少一個(gè)存儲(chǔ)單元組，每個(gè)存儲(chǔ)單元組包括第一存儲(chǔ)單元和位于第一存儲(chǔ)單元遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的第二存儲(chǔ)單元。第一存儲(chǔ)單元包括沿第一方向堆疊的第一底電極、第一選通層、第一中間電...

本申請(qǐng)公開了一種三維堆疊存儲(chǔ)器及其制造方法，可用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，其中，存儲(chǔ)器包括：存儲(chǔ)單元、鎢栓、第一信號(hào)線以及第二信號(hào)線；存儲(chǔ)單元與鎢栓堆疊，形成子結(jié)構(gòu)；子結(jié)構(gòu)位于第一信號(hào)線和第二信號(hào)線線的交叉區(qū)域；子結(jié)構(gòu)包括沿第一信號(hào)線延伸方向和/或...

本公開提供了一種相變存儲(chǔ)器及其形成方法，所述相變存儲(chǔ)器包括：第一導(dǎo)電線、第二導(dǎo)電線和在第一方向上位于所述第一導(dǎo)電線與所述第二導(dǎo)電線之間的存儲(chǔ)單元；所述存儲(chǔ)單元沿所述第一方向延伸；所述第一導(dǎo)電線沿第二方向延伸，并與沿所述第二方向排布的多個(gè)...

本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，公開了一種電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法、數(shù)據(jù)寫入方法及存儲(chǔ)設(shè)備。電學(xué)距離區(qū)域的劃分方法包括：在裸片上繪制電阻變化線；其中，電阻變化線上包括多個(gè)采樣點(diǎn)；不同采樣點(diǎn)具有不同的電阻；對(duì)裸片進(jìn)行電性測(cè)試，記錄多個(gè)采樣點(diǎn)的測(cè)試值...

本申請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)電子電路器件領(lǐng)域，提供了一種數(shù)模轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及控制方法，數(shù)模轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊，被配置為：接收數(shù)字信號(hào)，并基于數(shù)字信號(hào)輸出調(diào)節(jié)信號(hào)；信號(hào)輸出模塊，包括：阻抗調(diào)節(jié)單元，連接信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊，被配置為：基于調(diào)節(jié)信號(hào)調(diào)節(jié)阻抗調(diào)節(jié)單元的...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種補(bǔ)償電路及存儲(chǔ)器，補(bǔ)償電路應(yīng)用于存儲(chǔ)單元，所述補(bǔ)償電路與所述存儲(chǔ)單元所連接的位線連接，被配置為：在所述位線被驅(qū)動(dòng)時(shí)，向所述位線提供第一補(bǔ)償電流；所述補(bǔ)償電路還被配置為：在所述存儲(chǔ)單元所連接的字線被驅(qū)...