本申請公開了一種隨機數產生器和隨機數序列生成方法，隨機數產生器包括隨機單元和生成單元，隨機單元包括易失性選通器，所述易失性選通器接收第一電壓信號，并根據所述第一電壓信號從第一態隨機切換至第二態，所述隨機單元依據所述第一態與所述第二態的切...

本申請提供一種存儲器及其操作方法。存儲器包括存儲陣列和外圍電路。存儲陣列包括多個存儲單元。一個存儲單元包括依次層疊設置的第一電極層、第一雙向閾值開關層、第二電極層、相變存儲層以及第三電極層。外圍電路與多個存儲單元連接，且被配置為：在對選...

本申請提供了一種半導體存儲器件及其制造方法，該半導體存儲器件包括第一芯片、第一介質塊和第一導電柱，第一介質塊沿第一方向貫穿所述第一芯片，所述第一介質塊的材料包括玻璃，第一導電柱沿所述第一方向貫穿所述第一介質塊。本申請通過在第一導電柱和第...

本申請提供一種相變存儲器和存儲系統，包括相變存儲單元、第一阻擋層及第二阻擋層；相變存儲單元包括在第一方向上依次層疊設置的第一電極層、選通層、第二電極層、相變存儲層以及第三電極層；第一阻擋層設置在相變存儲單元在第二方向上的至少一側，且至少...

本申請提供了一種存儲器的制備方法和存儲器，先形成存儲單元材料層，再在存儲單元材料層的一側形成硬掩模層，所述硬掩模層包括氮、硅和氫元素，接著對所述硬掩模層進行刻蝕形成開口，采用惰性氣體對所述硬掩模層進行處理，并利用所述開口在所述存儲單元材...

本申請公開了一種半導體器件及其控制方法；半導體器件包括依次層疊設置的第一電極、選通層、存儲層以及第二電極；半導體器件的控制方法包括步驟：在第一電極和第二電極之間加載第一電流或者第一電壓，以使存儲層處于第一數據態；在第一電極和第二電極之間...

本申請提供了一種半導體器件、存儲器和存儲系統，該半導體器件包括相對設置的第一導電層和第二導電層、選擇開關層、第一地址線、第二地址線和電阻層；第一導電層和/或第二導電層中包括增加電阻率的摻雜元素，選擇開關層設置于第一導電層和第二導電層之間...

本申請提供了一種半導體器件和存儲器，該半導體器件包括相對設置的第一導電層和第二導電層、選擇開關層、第一地址線和第二地址線；選擇開關層設置于第一導電層和第二導電層之間，第一地址線設置于第一導電層遠離選擇開關層的一側，第二地址線設置于第二導...

本申請公開了一種相變存儲單元、存儲芯片以及存儲系統。相變存儲單元包括第一電極、第二電極、選通層、相變存儲層以及瞬態電流抑制層。第二電極與第一電極相對設置。選通層設置于第一電極與第二電極之間。相變存儲層設置于選通層與第一電極之間。瞬態電流...

本申請提供一種半導體結構及其制備方法、相變存儲器，所述半導體結構包括選通層，所述選通層包括第一選通部和第二選通部，所述第一選通部和所述第二選通部的至少一個中摻雜有第一摻雜物，且所述第一選通部和所述第二選通部中的所述第一摻雜物的摻雜種類和...

本申請提供了一種半導體器件及其制備方法、存儲器和存儲系統，該半導體器件包括多個間隔設置的第一存儲單元、第一金屬線、第一隔熱層、阻擋層和多個間隔設置的第二存儲單元；第一金屬線位于各第一存儲單元沿第一方向的一側，第一隔熱層位于相鄰第一存儲單...

本申請公開了一種半導體器件及其制備方法、存儲器和存儲系統，半導體器件包括多個存儲塊，存儲塊包括多條第一地址線、多條第二地址線和多個獨立的存儲單元；多條第一地址線在存儲塊中沿第一方向延伸，多條第二地址線在第一地址線的上方沿第二方向延伸，第...

本公開提供了一種相變存儲器，該相變存儲器包括：基底；基底包括沿第一方向排布的陣列區和測試區，測試區至少包括第一區域；第一方向與第二方向垂直，第二方向為基底的厚度方向；第一導電線以及第一相變存儲單元；第一導電線位于陣列區上，第一相變存儲單...