本文公開了用于形成浮體效應減弱的3D動態(tài)隨機存取內(nèi)存元件的方法。在一個示例中，一種方法可以包括形成在第一方向上堆疊的多個層，所述多個層包括在第一氧化層上形成的柵極層，以及在一組柵極氧化層之間的源極/漏極(S/D)層。所述組柵極氧化層可以...

本文所披露的實施方式包括金屬氧化物光刻膠的后顯影處理的方法。在實施方式中，一種方法包括在基板之上沉積金屬氧化物光刻膠，通過極紫外線(EUV)曝光來暴露金屬氧化物光刻膠以形成已暴露區(qū)域及未暴露區(qū)域，使已暴露的金屬氧化物光刻膠顯影，及對經(jīng)顯...

公開了包括增材制造工藝的基板支撐件和相關(guān)部件。一個基板支撐組件包括靜電卡盤；以及冷卻基座，具有第一表面，第一表面用金屬粘合材料粘合到此靜電卡盤的第一表面，冷卻基座包括：陶瓷主體，具有與靜電卡盤基本上相同的熱膨脹系數(shù)；一個或多個冷卻通道，...

本公開內(nèi)容的實施方式包括薄化元件結(jié)構(gòu)及形成薄化元件結(jié)構(gòu)的方法。本文提供的發(fā)明的實施方式包括使用形成在基底基板上的工程設計外延(Epi)層。工程設計外延層包括兩個或更多個外延層，其各自包括容許兩個或更多個外延層的至少一層從其他層被選擇性移...

本公開的實施例包括一種在半導體基板上形成環(huán)繞式柵極(GAA)接觸結(jié)構(gòu)的方法。方法將包括：從在包括多個特征的基板的表面中形成的特征的表面移除材料，多個特征各自包括多個源極/漏極接觸表面；在多個源極/漏極接觸表面中的每一者的表面上方選擇性地...

本文提供了三維(3D)存儲器結(jié)構(gòu)及其形成方法。在一些實施方式中，3D存儲器制造結(jié)構(gòu)包括：基底硅(Si)層；硅鍺(SiGe)層，其設置在基底Si層上方；以及經(jīng)摻雜的硅(Si)層，其設置在SiGe層的至少一側(cè)上，其中經(jīng)摻雜的Si層含有摻雜劑...

示例性半導體處理方法可包括使蝕刻劑前驅(qū)物流入半導體處理腔室的處理區(qū)域。基板可被容納在處理區(qū)域內(nèi)。基板可界定含金屬硬掩模材料的暴露區(qū)域和由小于或約4.0的介電常數(shù)表征的材料的暴露區(qū)域。方法可包括使基板接觸蝕刻劑前驅(qū)物。方法可包括移除含金屬...

在一個實施例中，一種在化學機械拋光(CMP)系統(tǒng)中處理基板的方法包括以下步驟：確定基板相對于第一承載頭的定向。方法進一步包括以下步驟：開始對與拋光墊接合的基板的表面的拋光處理。方法進一步包括以下步驟：在拋光處理期間，使用耦接到拋光墊的至...

一種形成多芯片模塊的方法，包括在介質(zhì)中模制一組芯片，以相對于每一其他芯片固定每一芯片，基于設置在所模制的一組芯片內(nèi)的每一芯片上的對準標記，映射所模制的一組芯片內(nèi)的芯片的位置和定向，形成互連基板，包括在基底基板上方形成第一互連層，圖案化第...

在此提供用于輸送具有期望的乙硼烷濃度的處理氣體至處理腔室的處理容積的系統(tǒng)與方法。在一實施例中，系統(tǒng)包括硼烷濃度傳感器。硼烷濃度傳感器包括主體與多個窗口。在此，多個窗口的各窗口安置在主體的相對端且主體與多個窗口共同地界定單元容積。硼烷濃度...

本文公開了用于控制用于半導體處理的處理腔室中的溫度的設備。在一個實施方式中，擋板組件經(jīng)配置以引導空氣流從所述處理腔室的蓋的中心至所述蓋的外邊緣。所述擋板組件具有擋板中心，所述擋板中心具有側(cè)表面及底部表面，其中所述底部表面為環(huán)形，具有中心...

敘述用于形成低κ介電材料的半導體處理方法。所述方法可包括提供沉積前體至半導體處理腔室的處理區(qū)。所述沉積前體可包括含硅碳與氫前體。基板可安置在所述處理區(qū)內(nèi)。所述方法可包括形成所述沉積前體的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上沉積含硅...

一種用于接合前檢查系統(tǒng)的光學檢查系統(tǒng)，包括其上放置待檢查的樣品的平臺、傳感器、光學組件以及控制器，每個光學組件包括具有將樣品視場（FOV）引導到樣品的一部分的光學元件的光學頭、被配置為以第一傾斜角照射樣品的第一光源、被配置為以第二傾斜角...

基板處理系統(tǒng)包括兩個或更多個工藝工具，這些工藝工具包括多個處理腔室，以執(zhí)行對應的基板處理程序，并且還包括基板運輸裝置，用于在兩個或更多個工藝工具之間運輸基板。該系統(tǒng)進一步包括控制系統(tǒng)，以使一個或多個第一層在一個或多個第一處理腔室中沉積在...

本公開的實施方式涉及用于基板處理腔室中的包含具有變化尺寸的路徑的排氣框架，及相關(guān)設備及方法。在一或多個實施方式中，處理腔室包括腔室主體、及窗口。所述處理腔室包括一或多個熱源、基板支撐件、襯墊、及預熱環(huán)。所述處理腔室包括一或多個氣體入口、...

本技術(shù)包括垂直單元陣列晶體管（VCAT），其包括在第一水平方向上布置的位線和在第二水平方向上布置的字線。陣列包括溝道，在與第一方向和第二水平方向大體上正交的垂直方向上延伸，使得位線與多個溝道的源極/漏極區(qū)域相交，字線與多個溝道的柵極區(qū)域...

本文所提供的本公開的實施例包括一種用于對化學機械研磨系統(tǒng)進行更高效且有效的工具內(nèi)監(jiān)控的設備及方法。研磨設備包括耦接至至少一個攝影機的控制器。控制器被配置成自至少一個攝影機接收介質(zhì)數(shù)據(jù)串流，將介質(zhì)數(shù)據(jù)串流處理成經(jīng)處理的介質(zhì)數(shù)據(jù)，并基于經(jīng)處...

本公開的方法使得能夠形成高導電性觸點，所述高導電性觸點促進提高器件速度和降低半導體器件的操作電壓，所述半導體器件諸如但不限于半導體上金屬（MOS）晶體管和類似物。在一個實施方式中，所述方法通過形成金屬?絕緣體?半導體（MIS）接觸結(jié)構(gòu)或...

一種方法包括：使用第一經(jīng)訓練的機器學習模型來處理根據(jù)制造處理所處理的基板的測量數(shù)據(jù)，以預測所述基板的臨界尺寸（CD）分布曲線。所述方法進一步包括：基于所述基板的所述預測CD分布曲線來產(chǎn)生CD分布曲線預測圖像。所述方法進一步包括：使用第二...

典型的旋轉(zhuǎn)圓錐反應器系統(tǒng)可包括雙圓錐腔室。該系統(tǒng)可能包括與雙圓錐腔室流體連接的真空源。該系統(tǒng)可能包括旋轉(zhuǎn)組件，用于圍繞中央軸旋轉(zhuǎn)雙圓錐腔室。該系統(tǒng)可能包括氣體注入器，該氣體注入器穿過旋轉(zhuǎn)組件并與雙圓錐腔室流體連接。氣體注入器的軸可能與中...