提供一種用于光刻設備的表膜隔膜，所述表膜隔膜包括包含金屬硅碳氮化物的芯部。也描述一種包括這樣的表膜隔膜的表膜，以及一種包括這樣的表膜隔膜或表膜的光刻設備。也提供一種制造表膜隔膜的方法，所述方法包括在包含氮的氣流中濺射金屬硅化物靶和硅碳化...

本公開提供一種獲得襯底對準圖像的方法，包括以下步驟：將襯底布置在襯底臺上，該襯底至少具有在相應的第一標記位置處的第一標記；使用圖像傳感器以獲取襯底在第一位置處的第一圖像，該第一位置在第一標記位置處或附近；將襯底相對于圖像傳感器移動到鄰近...

描述了用于半導體光刻、量測、和檢測系統的抗反射納米結構。還描述了一種利用短（例如，飛秒）激光脈沖產生抗反射納米結構的表面結構化工藝。短激光脈沖用于從半導體光刻、量測、和/或檢測系統的一個或更多個表面去除材料。這些短激光脈沖減少表面上的熱...

描述了一種用于運動控制系統的校準方法。作為校準方法的一部分，確定用于在第一維度移動的物理結構的不同位置的增益調度矩陣。所述不同位置發生在所述物理結構的恒定加速期間。基于初始增益平衡矩陣、所述增益調度矩陣、來自前饋力信號的前饋力、以及反饋...

一種用于成像系統的光學測量標記，包括反射區，所述反射區被配置成反射入射輻射以用于由所述成像系統形成所述光學測量標記的圖像。所述光學測量標記包括擴散子結構，所述擴散子結構被配置成散射所述入射輻射以用于增加所述成像系統的數值孔徑的照射。

一種制造用于物體保持器的電極的方法，所述方法包括在第一絕緣層上形成至少兩個電極部分，所述至少兩個電極部分彼此間隔開，在所述第一絕緣層上在所述至少兩個電極部分之間形成至少一個絕緣部分，使得所述至少一個絕緣部分填充所述至少兩個電極部分之間的...

公開了一種確定光刻設備上的基準劣化的方法，所述方法包括：從所述光刻設備的測量側獲得第一基準度量數據；從所述光刻設備的曝光側獲得第二基準度量數據；確定描述所述第一基準度量數據與所述第二基準度量數據之間的相關性的相關性度量；以及確定基準是否...

一種用于EUV輻射源的種子激光器系統，所述種子激光器系統包括：激光器，所述激光器被配置成發射脈沖式激光束；至少一個電光調制器，所述至少一個電光調制器位于所述激光器的下游；以及光學放大器，所述光學放大器位于所述至少一個電光調制器的下游，其...

一種預測電磁系統對來自照射配置的電磁輻射的響應的計算機實現的方法。系統包括位于輻射路徑中的像差元件和輻射路徑上的物體平面處的與電磁輻射相互作用的物體，像差元件引起對沿著輻射路徑透射的電磁輻射的、由像差函數描述的像差。方法包括各種步驟。

一種用于減小掩模版中的熱應變的方法，包括：確定掩模版在所述掩模版的使用期間的目標操作溫度；基于所述掩模版的所述目標操作溫度來調整所述掩模版的熱膨脹（TE）性質；以及將所述掩模版曝光于輻射以執行制造過程。

公開了一種用于控制光刻設備的方法以及相關設備。該方法被配置為在光刻過程中向襯底提供產品結構，并且包括確定優化數據。優化數據包括至少一個性能參數的被測量的數據和/或被模擬的數據，該至少一個性能參數與將要在光刻過程中施加到襯底上的產品結構和...

一種用于成像系統的光學測量標記，包括反射區和被配置為降低由成像系統形成的光學測量標記的圖像的強度的亞結構。所述亞結構能夠有效地降低在使用該光學測量標記進行測量時可能發生的碳污染速率。

一種用于調節掩模版的方法，包括確定所述掩模版在使用期間的目標操作溫度。所述方法包括控制所述掩模版的溫度以趨近于所述掩模版在使用期間的所述目標操作溫度。所述方法包括將所述掩模版曝光于輻射以執行制造過程。

一種光刻設備（LA），包括：第一環境（11），污染物（9）的源位于所述第一環境中；第二環境（12）；通道（10），所述第一環境與所述第二環境之間的光學路徑被設置為通過所述通道，其中，所述通道至少部分地由第一壁區段和第二壁區段（21、22...

襯底支撐件包括具有上表面的主體和在上表面之上突出的多個支撐構件，其中支撐構件中的一個或多個支撐構件包括由第一材料形成的第一部分和由第二材料形成的第二部分，第二部分被設置在第一部分與主體之間，并且第二材料在與上表面平行的方向上的楊氏模量小...

提供了一種液滴發生器，該液滴發生器包括：導管，該導管包括孔口，該孔口被配置成流體地聯接到貯存器并且在熔融目標材料方向上發射熔融目標材料；多個壓電元件，該多個壓電元件至少部分地包圍導管，其特征在于，壓電元件中的至少一個壓電元件被配置成在剪...

公開了一種選擇用于表征圖案化工藝中的隨機效應的一個或多個參考特征的方法，所述方法包括：獲得與用于在所述圖案化工藝中在襯底上圖案化的圖案相關的多個產品特征；獲得與表征所述多個產品特征的隨機效應的一個或多個隨機參數相關的產品分布數據；選擇一...

本文中描述一種用于模擬光刻過程中的隨機效應的方法和系統。獲得圖案區域的圖像，并且基于在所述圖案區域的每個部位處的圖像強度來確定在相對應的部位處的光子概率分布（PD）。基于所述光子PD來確定所述圖案區域的顯影后圖像的失效概率圖。所述失效概...

一種繪制襯底表面的高度的設備和方法。該方法包括：控制移動機構以產生輻射束的多個測量斑點在襯底表面上的測量位置的單行程移動，襯底由不可旋轉的襯底臺支撐，其中移動在襯底的平面內進行，多個測量斑點通過用于繪制襯底的高度的水平傳感器而入射到所述...

一種用于產生寬帶輻射的輻射源組件。該輻射源組件包括氣室，該氣室包封中空芯部光纖，其中氣室包括被布置成接收泵浦輻射的輸入端口和被布置成輸出所述寬帶輻射的輸出端口，其中所述氣室和所述中空芯部光纖的中空芯部填充有氣體組合物。該輻射源組件還包括...