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        ASML荷蘭有限公司專利技術

        ASML荷蘭有限公司共有3446項專利

        • 用于波長分辨束輪廓分析的系統和設備。設備包括束監測組件,束監測組件被配置為接收包括多個波長的輻射束,并且提供多個波長的衍射輻射,其中多個波長中的每個波長在衍射輻射中被空間地分離。設備包括顏色選擇器,顏色選擇器被配置為選擇衍射輻射的部分。...
        • 公開了一種量測方法,該量測方法包括:獲取與襯底上的一個或多個目標相關的量測數據,量測數據包括與一個或多個強度度量相關的強度度量數據和與相位差度量相關的相位差度量數據;根據上述強度度量數據確定強度不對稱性度量數據,上述強度不對稱性度量數據...
        • 一種真空系統,被配置為向流體調節光刻系統元件的傳熱流體提供真空,該真空系統包括:被配置為生成部分真空的文丘里管;以及被配置為容納部分真空的緩沖容器。緩沖容器與文丘里管的收縮部流體連通,并且緩沖容器還被配置為與流體調節光刻系統元件的傳熱流...
        • 一種光學放大器,包括:放大腔室;第一泵;第一熱交換器;第二泵;以及新催化劑模塊。所述放大腔室被配置成接收激光束且輸出經放大的激光束。所述第一泵被配置成圍繞增益介質系統泵送增益介質。所述第二泵被配置成泵送冷卻流體通過所述第一熱交換器。所述...
        • 公開了一種執行與曝光設備或所述曝光設備的部件相關的系統鑒定動作的方法。所述方法包括:獲得與一個或更多個測試時序參數相關的測試時序數據和參考時序測試數據,每個測試時序參數描述對應的系統動作持續時間,其中,每個系統動作持續時間描述所述曝光設...
        • 一種光刻方法,包括:在襯底上多次形成掩模版的圖像。每一這種圖像形成過程包括:利用輻射束照射掩模版和表膜組件的第一部分;并且收集由掩模版散射的輻射,并且使用投影光學器件將該輻射投影到襯底的目標區域上。光刻方法還包括:利用輻射束周期性地照射...
        • 公開了一種量測方法。方法包括:將輻射照射到襯底上;獲得與襯底上的一個或多個結構中的每個結構的至少一個測量值相關的測量數據;使用傅里葉相關變換將測量數據變換為經變換的測量數據;以及從經變換的測量數據提取襯底的特征或者消除妨害性參數的影響。
        • 一種曝光設備包括:在第二方向上延伸的第一結構和用于在第一方向上移動第一結構的第一致動器,以及在第一方向上延伸的第二結構和被配置為在第二方向上移動第二結構的第二致動器,第二方向基本垂直于第一方向。第一襯底臺和第二襯底臺連接到第一結構和第二...
        • 用于優化樣品掃描的系統和方法。系統和方法可以包括提供用于掃描第一樣品的多個帶電粒子束;標識所述多個帶電粒子束中的一個或多個失效帶電粒子束;標識所述多個帶電粒子束中的掃描所述第一樣品的一個或多個有效帶電粒子束;基于所述標識的一個或多個失效...
        • 一種用于表征和預測晶片臨界尺寸測量中的局部充電效應的系統和方法。所述系統和方法可以包括臨界尺寸模型,所述臨界尺寸模型包括被檢查晶片上的每一類特征的充電系數。充電系數可以基于維度建模。所述模型還可以包括初始充電狀態和描述作為時間或給定區域...
        • 圖案化裝置(例如,掩模版)通常通過真空夾具夾持到光刻設備中的卡盤,以在掃描方向上驅動圖案化裝置。用于掃描的圖案化裝置的加速通常會導致圖案化裝置以螺旋形和/或扭曲形狀變形。描述了一種新的夾持系統,該夾持系統包括被配置為向圖案化裝置施加夾持...
        • 一種設備,包括:對環境中的靶材料具有化學反應性的真空密封裝置,該真空密封裝置固定在第一配件與第二配件之間;以及對靶材料無化學反應性的保護裝置,該保護裝置被定位在環境與真空密封裝置之間。當設備處于第一操作模式時,保護裝置限定在環境與真空密...
        • 本文描述了一種用于獲得與光刻設備在光刻過程期間執行的規定重疊校正相關的衰減數據的方法和系統。可以基于該衰減數據模擬光刻過程,以預測通過光刻過程的圖案的成像。該模擬預測指示歸因于重疊校正的成像影響的圖案化參數集合。基于所預測的影響,可以在...
        • 描述了一種控制光學系統中的圖像定位誤差的方法。該光學系統包括布置在光學系統的光學路徑中的第一部件、第二部件和第三部件。該方法包括:?確定第一部件的圖像定位誤差,并且將第一部件的圖像定位誤差饋通至第二部件的控制回路,以至少部分地補償第一部...
        • 本公開提供了一種控制光學元件的位置用于投影圖像的方法,該方法包括以下步驟:?提供光學元件,光學元件具有至少一個致動器,以允許光學元件在至少第一自由度和至少第二自由度中的移動;?確定光學元件在至少第二自由度中的移動誤差;?使用光學元件在第...
        • 一種用于操作帶電粒子光學裝置的方法,該方法包括:利用帶電粒子光學裝置用帶電粒子束掃描包括一系列位置的樣品,以便生成掃描數據;從位置到位置改變帶電粒子光學裝置的至少一個帶電粒子光學參數的設置,其中該至少一個帶電粒子光學參數影響掃描數據的帶...
        • 本文中公開了一種光刻裝置,該光刻裝置包括與襯底和/或襯底支撐件間隔開間隔距離的流體處理結構;被配置為移動襯底支撐件并且由此移動襯底的定位設備;以及控制系統,該控制系統被配置為控制定位設備,使得襯底支撐件沿著包括一個或多個準備運動和一個或...
        • 一種用于確定在EUV光刻設備中使用的物體的一個或多個特性的設備包括:支撐件;輻射系統;檢測器系統;以及輻射調整模塊。支撐件用于支撐物體(例如表膜、掩模版、或掩模版和表膜組件)。輻射系統可操作為產生和傳遞輻射束,以便入射到由支撐件支撐時的...
        • 一種被配置為支撐襯底的襯底支撐件,包括上部組件、芯組件和下部組件;其中:第一開口被形成在上部組件的上表面中;與第一開口連通的第一通路被限定在上部組件和芯組件中;與第一通路連通的第一提取通道由芯組件和下部組件限定;并且第一調節通道由芯組件...
        • 一種用于針對極紫外(EUV)光產生的源容器的內襯包括壁,該壁具有內表面,該內表面朝向內表面的中間焦點端遠離內表面的收集器端延伸。內表面具有排氣開口,該排氣開口在從收集器端朝向中間焦點端沿內表面的距離D處開始延伸穿過內表面,并且相應的氣流...