本發明提供用于從嵌段共聚物層選擇性去除聚合物鏈的溶液及相關方法。嵌段共聚物層包括多個聚合物域，所述聚合物域中的每一個包括第一區及第二區。所述第一區包括第一聚合物鏈。所述第二區包括第二聚合物鏈。所述溶液被配置以去除比所述第一聚合物鏈更大比...

本發明提供多核錫化合物和相關方法。一種方法包含獲得經單取代的錫(IV)酰胺化合物；獲得硅醇化合物；和使所述經單取代的錫(IV)酰胺化合物與所述硅醇化合物接觸以形成多核錫化合物。一種組合物包含多核錫化合物。

工藝載具包含由齒界定的槽。所述槽各自經配置以接納襯底，且所述槽中的每一者的槽角在47°到76°的范圍內。所述齒可延伸達所述工藝載具的高度的一半或一半以下。所述齒可經配置以至少相隔開接納在所述槽中的磁盤或晶片的厚度。所述齒可經配置當所述襯...

本發明公開一種具有通過基底板的保持特征的光罩盒，其包含：內部部分，其包含蓋及基底板；及外部部分，其包含盒圓頂及盒門。所述盒門包含閂鎖，及可經驅動以在操作所述閂鎖時移動的一或多個可移動柱。所述基底板包含可被所述可移動柱接觸的可移動光罩接觸...

本發明涉及一種用于晶片載體的把手，所述把手包含：可插入部件，其經配置以插入到所述晶片載體的孔隙中；及鎖定機構，其可相對于所述可插入部件移動。當在接合狀態時，所述可插入部件的突片將所述可插入部件保持在所述孔隙中。當在鎖定狀態時，所述鎖定機...

本發明涉及用于相對于來自微電子裝置的多晶硅、氧化硅材料和/或硅化物材料選擇性蝕刻氮化硅的組合物和方法。

本文提供濕式蝕刻組合物及相關方法。針對鉬的濕式蝕刻組合物可包含磷酸、乙酸、硝酸及用于降低MoOx層的氧化速率的添加劑。所述添加劑可以基于所述濕式蝕刻組合物的總重量計0.01重量％到5重量％的量存在。

本申請案涉及用于從胺中去除金屬物種的膜。本公開內容涉及從流體中去除金屬污染物，以及用于實施此類方法的配體改性過濾材料。本公開的過濾器及方法對于從包含胺的液體組合物中去除金屬特別有效。此類金屬量明顯減少的液體組合物可用于微電子制造工藝，例...

本公開涉及一種晶片緩沖器及支撐晶片的方法，其中用于在晶片載體中使用的晶片緩沖器包含彈性梁，所述彈性梁包含：第一臂，其沿第一方向從所述晶片緩沖器的框架延伸；及第二臂，其沿第二方向從所述第一臂延伸；及晶片接觸件，其位于所述第二臂的與所述第二...

一種裝置包含外殼，所述外殼包含具有第一壓力調節裝置、第一流體入口及第一流體出口的第一腔室。所述第一壓力調節裝置包含多個第一杠桿；第一彈簧；及第一壓力激活裝置。響應于外部壓力減小，所述第一壓力激活裝置克服第一閉合力且打開所述第一流體入口。...

本發明提供釔絡合物和相關方法。一種制備釔絡合物的方法，其包括將金屬烷基環戊二烯基化合物與三鹵化釔化合物在非配位溶劑中接觸以獲得三(烷基環戊二烯基)釔絡合物。一種組合物，其包括三(烷基環戊二烯基)釔絡合物。

本發明涉及一種用于拋光硬掩模的系統，其包括組合物，所述組合物包含高錳酸鹽氧化劑的高錳酸根離子；包含硬掩模的襯底，所述硬掩模包含非碳硼組分、硼?碳組分、非碳硅組分、非碳鉻組分、非碳鋯組分或其任何組合中的至少一者；及化學機械平坦化(CMP)...

本發明涉及前體及相關方法。前體包括環硅胺化合物。所述環硅胺化合物為氨基硅烷與鹵代硅烷的反應產物。用于形成所述前體的方法包括獲得氨基硅烷，獲得鹵代硅烷，和使所述氨基硅烷與所述鹵代硅烷接觸以獲得所述前體。在其它實施例中也提供一種使用所述前體...

本發明描述與用于在干凈環境中盛放或傳輸襯底的襯底容器一起使用的支撐裝置，以及使用所述支撐裝置及襯底容器的相關聯系統及方法。一種襯底容器支撐系統包括：基座，其具有水平基座表面；噴嘴，其從所述基座表面垂直延伸，所述噴嘴能夠相對于所述基座表面...

本發明為一種離子布植機用的供氣系統，該供氣系統包含一金屬室、一電性絕緣盒、一硬質絕緣管件及一可撓性管件；該金屬室的內部設置有一第一及第二管路，其底部通過多個電性絕緣件固定在地板上；該電性絕緣盒懸掛在該金屬室的一外側，該硬質絕緣管件設置在...

描述經調適以在潔凈環境中存儲或運輸半導體晶片的晶片容器，包含含有洗凈氣體輸送裝置的容器，以及用于洗凈容器內的環境的方法。一方面，本發明涉及一種擴散器，所述擴散器包含：細長本體，其包括：上端、下端、前壁、后壁、側壁、介于所述上端與所述下端...

本發明提供具有高純度的鉬前體和純化鉬前體的方法。一種方法包括：獲得包括固體試劑的第一容器；氣化至少一部分所述固體試劑以產生包括MoCl5蒸氣和鉬雜質蒸氣的蒸氣；使至少一部分所述MoCl5蒸氣和至少一部分所述鉬雜質蒸氣流向第二容器；在所述...

本申請涉及用于沉積鎢薄膜或鉬薄膜的方法。本文描述用于沉積金屬薄膜或層到襯底上的氣相沉積方法，其中所述金屬是鉬或鎢；所述方法涉及含有所述金屬及一或多種含碳配體的有機金屬前驅物化合物，并包含沉積由所述前驅物的所述金屬形成的金屬層到襯底上，隨...

本文描述吸附劑材料，其用于從氣流中去除空氣性分子污染且包括多孔吸附劑基質，所述吸附劑基質的表面上施加有氫氧化鉀離子和碳酸鉀；以及包括所述吸附劑的裝置和制備和使用所述吸附劑的相關方法。

本發明描述適用于從氣體中去除過氧化氫的方法和設備，所述氣體例如來自使用過氧化氫對醫院房間進行滅菌的步驟中的所述房間，或來自使用過氧化氫作為滅菌劑的滅菌設備所產生的廢氣流。