提供用于連結物品的鎖銷及接合部件。所述鎖銷包含頭部、頸部及基部。所述頭部定位于第二部件上方且具有下表面。所述頸部在其上端處連接到所述頭部的下表面，其中所述頸部的寬度小于所述頭部的所述下表面的寬度。所述基部定位于第一孔口中并連接到所述頸部...

一種半導體襯底攜載容器，例如前開式統一晶片傳送盒或裝運箱，其包含：容器殼體，其具有多個壁、前部及后部，所述多個壁界定經定大小以能夠接納多個半導體襯底或托盤的內部空間；及支撐結構，其經配置以接納所述多個半導體襯底或托盤。所述支撐結構包含至...

本公開提供前驅物材料的選擇性沉積方法及相關裝置。所述方法包括獲得結構。所述結構包括非介電材料及介電材料。所述方法包括在若干條件下使所述結構與鉬前驅物接觸，以便在所述非介電材料的至少一部分上獲得鉬材料。在所述條件下所述鉬材料未沉積在所述介...

一種組合物包括二硅烷胺前體。所述二硅烷胺前體包括與所述二硅烷胺前體的氮原子連接的官能團。所述官能團包括烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基或苯甲基。提供相關方法，包含用于形成所述二硅烷胺前體的方法及用于氣相沉積的方法。

一種用于袋的配件包含整體形成的刺針端口，所述刺針端口包含孔口、穿刺阻擋膜及內部墊圈。所述配件可為含氟聚合物。所述穿刺阻擋層可為含氟聚合物膜。所述內部墊圈定位于所述孔口內且為所述刺針端口提供額外穿刺阻擋層。通過將兩個例如含氟聚合物片材等的...

一種設備包含經配置以接收混合物的蒸餾容器。所述設備包含流體地連接到所述蒸餾容器的柱。網安置在所述柱中。所述設備包含流體地連接到相應真空裝置的多個導管。分餾頭流體地連接到所述柱。所述柱流體地連接在所述蒸餾容器與所述分餾頭之間。

本發明提供了適用于形成含錫膜的前體。所述前體包含官能化錫化合物，其中一或多個配位體與Sn配位，且所述Sn被至少一個官能團官能化。進一步提供了形成所述前體的方法和使用所述前體來形成含錫膜的方法。

本申請案涉及多層多孔聚合物膜以及相關過濾器及方法。本發明描述：多孔聚合物過濾膜組合件，其包含串聯的兩個聚合物過濾膜，即作為膜組合件的一部分；包含兩個聚合物過濾膜層的過濾器組件及過濾器產品；組裝所述聚合物過濾膜、所述過濾器組件及所述過濾器...

本申請涉及具有涂層感測區的光罩盒。使用干式涂布方法在光罩容器的內盒上產生感測區。所述感測區是具有特定光譜反射率的離散區。所述感測區經定位使得其可通過工具讀取以確定所述盒的部分的距離。與用材料完全鍍覆的內盒或其它濕式涂布施覆的材料相比，使...

本發明提供用于在存在氧化硅和多晶硅下選擇性蝕刻氮化硅的蝕刻劑組合物。所述蝕刻劑組合物可于單一步驟中通過將所述蝕刻劑組合物施覆至襯底來達成氧化硅、多晶硅或其任何組合中的至少一者的鈍化，同時選擇性蝕刻氮化硅。所述蝕刻劑組合物可包含基于所述蝕...

本申請涉及VI族前驅物化合物。本發明提供用于制備各種VI族前驅物化合物的簡便方法，所述VI族前驅物化合物可用于將這類VI族金屬氣相沉積于固體襯底、尤其微電子半導體裝置襯底上。所述方法提供獲得這類揮發性材料的有效手段，然后所述揮發性材料可...

本公開涉及一種光罩容器，其包含外盒及內盒，所述內盒經配置以收容光罩。所述外盒包含具有吹掃端口的盒門及具有經配置以從所述吹掃端口接收吹掃氣體且將所述吹掃氣體引導到所述外盒內的特定位置的一或多個通道的盒拱頂。所述通道可將所述吹掃氣體引導到所...

本發明提供一種前體，其包含鎢前體和含碳材料。所述前體包含按所述前體的總重量計小于0.02重量％的所述含碳材料。用于純化鎢前體的方法可包含以下步驟中的至少一者：獲得含有鎢前體和含碳材料的源容器；使所述鎢前體與所述含碳材料的至少第一部分分離...

一種設備包含：內容器，其具有底板及蓋；外容器，其具有盒圓頂及盒門；及第一組銷及第二組銷，其安置在所述盒門上。所述盒門具有鎖定狀態及解鎖狀態。所述第一組銷及所述第二組銷經配置以支撐所述底板。當所述盒門處于所述解鎖狀態且所述第一組銷接觸所述...

本公開提供硅烷前驅物和其相關方法。一種用于制備硅烷前驅物的方法可以包括下列步驟中的一或多者：使二鹵硅烷化合物與胺于第一溶劑中接觸以獲得第一反應產物；和使所述第一反應產物與還原劑于第二溶劑中接觸以獲得第二反應產物。

本發明提供高純度鎢前體和純化鎢前體的方法。所述純化前體的方法可包含以下步驟中的至少一者：獲得含有WCl<subgt;4</subgt;、WOCl<subgt;4</subgt;和WCl<subgt;5<...

本發明涉及一種原料組合物，其包括無機顆粒，所述無機顆粒具有多模態顆粒大小分布且包括：不規則細顆粒集合，其具有細顆粒大小分布及平均細顆粒直徑；及不規則粗顆粒集合，其具有粗顆粒大小分布及在從所述平均細顆粒直徑的4倍到7倍的范圍中的平均粗顆粒...

本申請涉及高階節點工藝后端處理的蝕刻后殘留物去除。本公開涉及一種在使用含鋁蝕刻停止層的半導體的生產中幫助去除蝕刻后殘留物及含鋁材料、例如氧化鋁的清潔組合物。所述組合物相對于低k介電材料、含鈷材料和微電子裝置上的其它金屬對蝕刻后殘留物和含...

描述襯底容器，其包含開口、用于關閉所述開口的門及用于在所述門放置于所述開口上方的情況下密封所述開口的墊片。所述墊片包括：墊片本體，其接觸所述平坦部分；及密封區段，其附接所述墊片本體，所述密封區段包括后跟及尖端，其中在所述門經定位以覆蓋所...

在晶片容器中，提供閂鎖機構以將晶片匣固定于所述容器內。所述閂鎖機構由晶片盒的圓頂的內表面之間的接觸驅動以在設置于所述晶片匣中的水平桿處接觸所述晶片匣。所述閂鎖機構包含經配置以接觸所述圓頂的所述內表面的圓頂接觸元件。所述閂鎖機構進一步經配...