本公開的方法包含鋁酸鹽(例如四碘鋁酸鋰(LiAlI<subgt;4</subgt;))的低溫、溶劑輔助合成的開發。本公開包含制備式(I)化合物：[M<supgt;+q</supgt;][Al(X)<subg...

一種儲存容器，其包含外殼，所述外殼具有形成所述外殼中的內部空間的底部表面、兩個側壁、前壁及后壁。所述儲存容器還包含經配置以封閉所述內部空間的蓋。所述外殼的所述兩個側壁包含邊沿部分，且所述蓋包含軌道部分，所述軌道部分經配置以提供與所述邊沿...

已研發和合成本公開化合物以生成改良膜應用、例如HfOx、ZrOx和TiOx膜應用的化合物。本公開化合物的所述改良包含遞送溫度和沉積溫度下增加的分子穩定性、與前體膜雜質水平、分子揮發性、分子熔點和階梯覆蓋率相關的改良。

本發明提供關于雙(芳烴)金屬絡合物的制備和純化的方法。一種方法可包括在第一溶劑中使金屬鹵化物與第一金屬組分和鹵化鋁接觸，從而形成包括中間絡合物的反應混合物。一種方法可包括在包括第二溶劑的反應混合物中使所述中間絡合物與第二金屬組分接觸，從...

本公開涉及前體，更具體來說含有至少一個氟化基團的前體的領域。在一些實施例中，所述前體為含有氟化烷氧化物和酰胺的鉿、鋯和鈦雙(環戊二烯基)前體。在一些實施例中，本公開涉及使用前體來沉積含有第4族的薄膜，例如HfOx、ZrOx和TiOx膜應...

本發明提供單取代硅醇錫化合物和相關方法。一種方法包括使單取代錫(IV)化合物與硅醇化物反應物接觸以形成單取代硅醇錫化合物。一種組合物包括單取代硅醇錫化合物。

本申請案涉及一種過濾器及一種過濾器與歧管系統。自鎖到過濾器歧管的所述過濾器包含在平面圖中具有長軸及短軸且沿著所述長軸比沿著所述短軸長的凸緣。所述過濾器進一步包含在所述長軸上的止擋器，所述止擋器可在所述過濾器插入到過濾器歧管中且旋轉時接觸...

本技術涉及用于過濾應用的墊片以及包括所述墊片的裝置。提供用于過濾應用的墊片。用于過濾裝置的墊片包括基底，所述基底包括環狀聚烯烴。所述基底包括用于過濾平均顆粒大小大于50μm的顆粒的多個通孔。還提供過濾組合件、過濾裝置以及相關系統和方法。

本公開描述可用于在潔凈環境中保持或運輸例如半導體晶片及微電子裝置的襯底的襯底容器，以及使用所述襯底容器的方法。

一種用于產生植入到襯底中的鋁離子的系統及方法。所述系統及方法包括將來自第一容器的含氯氣體，任選地連同含氫共伴氣體及任選地連同含氟共伴氣體一起，流到離子植入裝置的離子源室。所述離子源室包括固體鋁靶材料。在所述離子源室中，產生鋁離子以用于植...

本公開涉及一種離子注入工具源和氣體輸送系統。所述系統可包括：包含一或多個氣體供應容器的氣源、連接到所述氣源的離子注入機電弧室以及容納于所述離子注入機電弧室內的鎵靶。所述一或多個氣體供應容器可供應氫和氟化物的氣體混合物。所述氫在所述氣體混...

一種用于光罩盒的部分的間隔物包含經配置以接觸所述光罩盒的蓋及底板的對準特征使得所述蓋及底板由間隙分離的間隔接觸件。所述間隔物包含連接所述間隔接觸件中的至少兩者的框體。所述框體可包含彈簧臂，其允許變形，使得所述間隔接觸件可相對于彼此移動以...

光罩容器包含蓋及基板，其具有經配置以在所述光罩容器經組裝時彼此接觸的接觸表面。緩沖區域經提供為與所述接觸表面中的至少一者相鄰。所述緩沖區域是使得在所述光罩容器經組裝時所述緩沖區域上提供的電鍍不接觸所述蓋或所述基板的另一者。所述緩沖區域可...

本申請涉及分層微孔膜和過濾筒。所述分層微孔膜，其特征在于所述分層微孔膜包括：第一微孔膜，第二微孔膜，其在覆蓋所述分層微孔膜的面積的小于20％的結合區域處結合到所述第一微孔膜。

本公開提供了一種用于以高產率和選擇性制備單烷基化環戊二烯物質的改進方法。在所述方法中，使雙環戊二烯鎂或環戊二烯鹵化鎂的溶液與烷基化劑在改性劑存在下反應以提供單烷基化產物。在本公開的方法中，僅產生單烷基化物質，而沒有觀察到可檢測量的二烷基...

本申請案涉及高蒸汽壓輸送系統。一種系統包含汽化器容器。所述汽化器容器包含流體連接到所述汽化器容器的出口。加熱器經配置以加熱所述汽化器容器。閥經配置以調節所述出口處汽化材料的壓力。響應于所述出口處的所述壓力在設置壓力范圍外，所述加熱器經配...

提供了一種用于制備某些二膦酸鹽化合物和其酯衍生物的方法。在此方法中，某些二膦酸鹽化合物、如亞甲基二膦酸是通過以下方式制備的：使對應的異丙酯與(i)三甲基硅基溴化物或三甲基硅基碘化物或(ii)三甲基硅基氯化物和堿金屬碘化物或溴化物反應；隨...

本公開描述一種用以減小表面的粗糙度的漿料組合物，例如包含碳化硅、氧化鋁、金剛石及碳的多晶材料。本公開還可應用于單晶材料(例如，碳化硅、藍寶石或金剛石)。

一種容器包含：偏轉器，其安置于襯底容器的內部中，具有縱向開口及偏轉表面；及氣體分配器，其經配置以提供凈化氣體以凈化襯底容器的內部。所述氣體分配器經配置使得所述凈化氣體的至少一部分流動到形成于所述氣體分配器與所述偏轉器之間的間隙中。所述偏...

本發明提供適用于在氧化硅和氮化硅存在下蝕刻多晶硅的組合物。所述組合物包含氫氧化膽堿、例如過碘酸的氧化劑和任選的表面活性劑，且一般適用于多晶硅的蝕刻，且尤其適用于多晶硅修整以及多晶硅剝蝕的操作。發現利用所添加的氧化劑可降低基于硅晶體定向的...