一種系統，其包含：容器，其用于裝納填充材料；及振動源，其連接到所述容器。所述振動源可增加所述填充材料的體積密度。填充材料比可被定義為所述填充材料的粒子密度除以振動之后的所述填充材料的所述體積密度。在所述振動源增加所述填充材料的所述體積密...

本公開包含混合配體化合物、如環戊二烯錫(II)絡合物的制備。本公開的化合物可用作極紫外光(EUV)光刻術的原子層沉積(ALD)前體。本公開的化合物也可用作EUV光刻術的等離子體化學氣相沉積(CVD)前體。

本公開提供適用作用于液體純化和/或過濾的過濾器的組件的某些嵌段共聚物膜。本公開的嵌段共聚物經歷交聯反應以增加總分子量，且因此認為賦予所述膜改進的耐溶劑性特性，從而使得此類膜適合于與例如光刻溶劑的溶劑一起使用。另外，認為此交聯處理改進干燥...

一種用于晶片容器的清洗端口組合件包含經配置以允許清洗氣體的進口流動的清洗模塊及經安置于所述清洗模塊的中間出口上的過渡部分。所述過渡部分包含經配置以接收從所述清洗模塊放出的所述清洗氣體的接收器、經配置以與擴散器附接的出口連接器及中間導管。...

間隔件包含經配置以放置在光罩盒的蓋或底板中的一者的凹陷內的底座，及經配置以接觸所述蓋及所述底板中的另一者的接觸表面。所述間隔件經配置以將所述蓋及所述底板彼此間隔開，使得所述蓋及所述底板的密封表面通過間隙分開。所述凹陷可為所述底板的推爪口...

一種系統包含：化學品供應柜(例如，例如經配置以裝納安瓿的化學品供應柜)；模塊，其經配置以使表面改質；及控制單元，其經連接到所述模塊，其中所述控制單元經配置以指導所述表面的所述改質。

本發明描述用于使用低溫吸附床以從氧氣去除雜質來產生經純化氧氣的方法和設備，所述雜質為例如含氮雜質(例如，氮氣(N<subgt;2</subgt;)、氮氧化物、氨氣、胺)、水、二氧化碳、一氧化碳、烴等。

本申請涉及多層多孔燒結膜和過濾器總成。一種多層多孔燒結膜，其特征在于所述多層多孔燒結膜包括：包括經燒結微米顆粒的粗層，所述微米顆粒具有微米顆粒燒結點，所述粗層具有粗層孔隙率，以及包括經燒結納米顆粒的細層，所述納米顆粒具有納米顆粒燒結點，...

本發明提供用于濕式蝕刻含有包含氮化硅、氧化硅和多晶硅的表面的微電子裝置襯底的表面的組合物和方法。本發明的方法涉及鈍化步驟和氮化硅蝕刻步驟，如下文更全面地描述。發現所述兩個步驟的組合大大地改進在多晶硅存在下的氮化硅蝕刻操作的選擇性。

本發明描述壓力釋放裝置及例如容器的相關聯設備，所述壓力釋放裝置經調適以在所述釋放裝置的可熔金屬組件達到熔融溫度時，對容器內的加壓流體提供壓力釋放。

一種托盤組合件包括多個托盤。所述多個托盤中的每一者包括第一托盤部分及第二托盤部分，所述第一托盤部分與所述第二托盤部分可通過保持器耦合在一起并且可與凸輪構件接合。根據所述凸輪構件的定向，所述托盤組合件的所述多個托盤中的每一者可在展開配置與...

本申請涉及一種支撐托架，其經配置以支撐襯底容器內的襯底，所述支撐托架包括：至少一個支撐軸環，其經配置以將所述支撐托架耦合到至少一個支撐柱，使得所述支撐托架從所述至少一個支撐柱懸吊。

一種用于清潔襯底的裝置。所述裝置包括聚合墊、框架本體及耦合部件。所述聚合墊具有頂面及底面。所述框架本體的至少一部分在所述聚合墊的所述頂面與所述底面之間延伸。耦合部件從所述框架本體的至少一部分向上延伸。

本公開涉及一種過濾器組合件，其包含：流體入口；流體出口；導管；及過濾器。所述導管經流體連接到所述流體入口及所述過濾器。所述過濾器經流體連接到所述導管及所述流體出口。所述過濾器組合件經配置用于使以下流體中的至少一者流動：MoO<su...

本公開涉及去除組合物，其用于從微電子裝置的表面至少部分地去除化學機械拋光后(CMP后)殘留物。所述去除組合物包含水性堿組合物和各種鉬蝕刻抑制劑，與所述水性堿組合物相比，所述鉬蝕刻抑制劑減少從微電子裝置的表面所去除的鉬的量。

本申請涉及用于從表面去除氧化鈰粒子的組合物和方法。本發明涉及一種去除組合物和工藝，其用于從上面具有化學機械拋光CMP后污染物和氧化鈰粒子的微電子裝置清潔所述粒子和污染物。所述組合物實現所述氧化鈰粒子和CMP污染物材料從所述微電子裝置的表...

本公開包括一種獲得三鹵化烷基錫、獲得溶劑和使所述三鹵化烷基錫與所述溶劑接觸從而形成三鹵化烷基錫加成物的方法。亦描述一種組合物，其包括：式RSnX<subgt;3</subgt;·(solv)<subgt;n</s...

一種過濾器模塊包含接口主體及過濾器保持主體。過濾器可安置于所述過濾器保持主體與接合到所述過濾器保持主體的過濾器保持器之間。所述過濾器保持主體可進一步包含閥。所述過濾器保持器可通過扣合、壓合或焊接而接合到所述過濾器保持主體。所述過濾器保持...

本發明涉及用于選擇性地蝕刻氮化鈦、鈷或其組合的組合物和方法。所述組合物和方法通常使鉬和存在的其它材料不受工藝影響。所述工藝可實現高蝕刻速率，并且可在圖案中提供均勻凹部頂層和底層。

用于控制前體輸送的系統及方法。所述系統及方法可包括與氣體流動管線流體連通的前體輸送容器。所述前體輸送容器可包括容納可蒸發前體的至少一個托盤。一定量的熱能可以足以蒸發所述可蒸發前體的量供應到所述至少一個托盤。所述經蒸發前體可從所述前體輸送...