本公開描述在微孔膜載體的表面含有交聯(lián)化氟化離子聚合物的孔洞聚合膜復(fù)合物和相關(guān)方法。

一種設(shè)備包括：機(jī)械臂；及臂末端附接件，其固定地附接到所述機(jī)械臂，其中所述臂末端附接件包括：所述臂末端附接件的固定部分，其固定地附接到所述機(jī)械臂，所述固定部分適于接收所述臂末端附接件的可更換部分；所述臂末端附接件的第一可更換部分，其適于從...

光罩容器包含磁性閂鎖以關(guān)閉所述容器且夾緊裝納在所述容器內(nèi)的光罩。所述磁性閂鎖包含至少一個磁體及另一鐵磁材料，所述另一鐵磁材料可為另一磁體或磁性可吸引材料。可操縱所述磁體及所述另一鐵磁材料中的至少一者以緊固或打開所述容器。所述操縱可包含外...

本申請關(guān)于用于襯底容器的清洗流體分配系統(tǒng)及其執(zhí)行方法。一種襯底容器包含界定內(nèi)部空間的殼體及清洗流體分配系統(tǒng)。所述殼體包含前開口、底壁及后壁。所述清洗流體分配系統(tǒng)接收清洗氣體流且包含入口及分開的氣體分配裝置的網(wǎng)絡(luò)，所述分開的氣體分配裝置經(jīng)...

本揭示內(nèi)容提供能夠從液體組合物去除極小微粒的多孔膜。在某些實(shí)施例中，所述多孔膜包含聚(四氟乙烯)，其中所述膜至少部分地涂布有從烯系不飽和單體的自由基反應(yīng)制備的聚合物，其中所述單體包含具有酰胺部分的單體。在特定實(shí)施例中，所述膜能夠通過過濾...

本申請涉及用于襯底容器的緩沖保持器。本發(fā)明提供一種襯底保持器(110)，其呈現(xiàn)可適應(yīng)上面的襯底對齊的位置的大變化的基本上均勻接觸面(128)。允許所述均勻接觸面(128)偏轉(zhuǎn)并壓縮以便消除襯底(114)被所述襯底保持器(110)損壞或被...

本申請涉及用氟退火膜涂布的制品。與具有優(yōu)良耐化學(xué)性和結(jié)構(gòu)完整性的涂層相關(guān)的制品和方法可以在介于約150℃與低于300℃之間的低處理溫度下通過原子層沉積和氟退火制備。所述膜包含含有釔的氟化金屬氧化物。

本發(fā)明提供在非配位溶劑中進(jìn)行的從三烷基鋁物質(zhì)和鋁烷醇鹽制備二烷基鋁烷醇鹽的穩(wěn)健方法。在某些實(shí)施例中，所述反應(yīng)可通過使用至少一個靜態(tài)混合器來促進(jìn)。

光罩容器包含含有彈簧的旋轉(zhuǎn)閂鎖。所述彈簧提供將所述光罩容器的片段帶向彼此的力，使得所述容器中的光罩夾緊在所述容器片段之間。所述旋轉(zhuǎn)閂鎖可包含在所述光罩容器的蓋或底板中的一者上的作為組合件的部分的頭部，其中經(jīng)配置以容納所述頭部的狹槽設(shè)置于...

提供一種用于半導(dǎo)體制造工藝的清潔刷。所述清潔刷包含芯及刷部件。所述芯包含圓周部分及閉端部分。所述圓周部分包圍所述清潔刷的旋轉(zhuǎn)軸線且界定用于接收流體的入口開口。所述閉端部分經(jīng)連接到沿所述旋轉(zhuǎn)軸線與所述入口開口相對的所述圓周部分的端。至少一...

本發(fā)明提供用于存在二氧化鈰的化學(xué)機(jī)械拋光后清潔操作的組合物。在一個方面中，本發(fā)明提供一種包含還原劑、螯合劑、氨基(C6?C12烷基)醇和水的組合物；其中所述組合物具有小于約8的pH。可發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的組合物在例如多晶硅(poly?Si)襯底...

本公開描述多孔燒結(jié)無機(jī)體，其包含由不同類型的金屬粒子制成的多個層，其可用作濾膜，且還描述制作及使用所述多孔燒結(jié)無機(jī)體的方法。

一種空氣過濾系統(tǒng)包含光催化反應(yīng)器及所述光催化反應(yīng)器的上游的第一空氣過濾器。所述光催化反應(yīng)器包含光催化劑組合物及經(jīng)配置以照射所述光催化劑組合物的燈。所述光催化劑組合物經(jīng)配置以分解空氣中的一或多種揮發(fā)性有機(jī)化合物。所述第一空氣過濾器經(jīng)配置以...

一種握柄包含力矩限制裝置。所述力矩限制裝置包含多個從動部件及多個驅(qū)動部件。所述多個驅(qū)動部件經(jīng)配置以在第一方向上驅(qū)動所述多個從動部件以轉(zhuǎn)動閥。響應(yīng)于轉(zhuǎn)動所述閥，所述多個驅(qū)動部件在達(dá)到力矩閾值時與所述多個從動部件脫離。當(dāng)所述力矩限制裝置達(dá)到...

本發(fā)明提供一種氧鹵化物前驅(qū)物。本發(fā)明提供一種制備鉬和鎢氧鹵化物化合物的方法，所述氧鹵化物化合物適用于將含有鉬和鎢的薄膜沉積于微電子裝置的各個表面上。在本發(fā)明方法中，在固態(tài)介質(zhì)中或在包含有包含堿金屬鹽和/或堿土金屬鹽的共晶摻合物的熔融相反...

本申請涉及一種導(dǎo)電聚合物層，其位于靜電卡盤上。所述導(dǎo)電聚合物層包括導(dǎo)電聚合物及光敏聚合物。所述導(dǎo)電聚合物的導(dǎo)電性促進(jìn)通過所述導(dǎo)電聚合物層進(jìn)行的電荷消散，而所述光敏聚合物的光敏性允許所述導(dǎo)電聚合物層的表面被光圖案化。所述導(dǎo)電聚合物層導(dǎo)電及...

本發(fā)明提供適用于CMP后清潔操作、特別是那些含有經(jīng)暴露銅表面的襯底中的組合物。本發(fā)明的組合物提供這些襯底的極佳清潔，同時顯示存在于所述襯底的表面的二氧化硅和有機(jī)材料的缺陷較少。還提供一種使用這些組合物清潔微電子裝置襯底的方法和在兩個或更...

本技術(shù)描述高壓過濾器設(shè)備，其在外殼部件與末端部件之間具有密封表面，其特征在于，所述高壓過濾器設(shè)備包括：所述外殼部件，其包括第一錐形接頭表面，過濾腔室，以及流體流開口，其連接到所述過濾腔室；過濾器，其位于所述過濾腔室中，所述末端部件，其包...

本發(fā)明描述了高壓過濾設(shè)備，所述高壓過濾設(shè)備包含沿著主體的周界具有焊縫的第一和第二部件及放置在所述焊縫周圍且環(huán)繞所述焊縫的套管。

總的來說，本發(fā)明提供一種將氮化硅膜沉積到微電子器件襯底上的方法。所述方法使用選自鹵代硅烷化合物、式R<subgt;2</subgt;NH化合物、氨基硅烷和氫氣的前體和共反應(yīng)物。如此形成的氮化硅膜具有增加的硅的比例，同時提供均...