本發明涉及一種用于制造包括要被通過照射分離的層（215）的復合結構（225）的方法，所述方法包括包含以下各項的疊層的形成：由在確定的波長下至少部分地是透明的材料形成的支承基板（205）；要被分離的層（215）；以及夾在所述支承基板與要被...

沉積系統（100）包括反應室（102）及至少局部布置在所述反應室（102）內的基板支撐結構（114）。所述系統還包括至少一個氣體注入裝置（110）及至少一個真空裝置（113），兩者一起用于使工藝氣體流經所述反應室（102）。所述系統還包...

一種用于收割電力的余熱收割設備（1000），包括切換裝置（1200），該切換裝置（1200）配置成在切換裝置（1200）的溫度越過預定溫度時將磁場從第一區域輸送到至少第二區域。

本發明涉及含接插件的半導體結構體的制造方法及相關結構體和器件。本發明的制造方法包括貫穿可回收基片上的材料層形成導電性通孔。所述材料層上方接合承載基片，然后使所述可回收基片與所述材料層分離，從而回收所述可回收基片。所述材料層和可回收基片之...

本發明涉及在HPVE法中利用金屬三氯化物前體在生長基體的金屬氮化物模板層上沉積塊狀III族氮化物半導體材料。塊狀III族氮化物半導體材料的沉積可在不利用MOCVD法異位形成模板層的情況下進行。在一些實施方式中，在利用HVPE法在模板層上...

本發明涉及一種用于射頻或電力應用的電子器件，該電子器件包括：位于支承基板上用于支承電子元件的半導體層，其中，所述支承基板（1）包括熱導率為至少30W/m?K的底層（12）和厚度為至少5μm的表面層（13、14），所述表面層（13、14）...

將材料沉積在基板上的方法包括由熱化氣體注射器內的源氣體形成前體氣體和副產物。副產物可以與液態試劑反應以形成另外的前體氣體，其可由熱化氣體注射器注射至反應室中。用于將氣體注入沉積系統的反應室中的熱化氣體注射器可以包括入口、熱化導管、被構造...

本發明涉及一種制造絕緣體上硅結構的工藝，所述工藝包括以下步驟：（a）設置供體襯底（31）和支撐襯底（1），所述襯底中只有一個被所述氧化物層（2）覆蓋；（b）在所述供體襯底（31）中形成弱區（32）；（c）等離子體激活所述氧化物層（2）；...

本發明涉及一種制備襯底(1)的方法，所述方法的目的是通過用光通量(F)照射襯底而使稱為脫離層的層從所述襯底上脫離，所述照射用來對所述襯底的隱埋區域加熱并使該區域中的材料分解，從而使所述脫離層脫離，所述方法的特征在于包括以下步驟：a)制造...

本發明涉及三維集成半導體系統和形成該三維集成半導體系統的方法。三維集成半導體系統包括與絕緣體上半導體（SeOI）基板上的電流/電壓轉換器可操作地耦接的光敏器件。光學互連被可操作地耦接至光敏器件。半導體器件被接合在SeOI基板上，并且電通...

制造包括位于支撐襯底上的功能化層的半導體結構的工藝。本發明涉及一種制造包括位于支撐襯底（3）上的第一功能化層（4）的半導體結構（1）的工藝，所述工藝包括以下步驟：（a）在源襯底（2）中注入離子物質，所述源襯底（2）包括：所述功能化層（4...

用于直接接合半導體結構的改善的接合表面。將第一半導體結構直接接合到第二半導體結構的方法包括以下步驟：在導電材料對導電材料直接接合工藝中將第一半導體結構的至少一個器件結構直接接合到第二半導體結構的至少一個器件結構。在一些實施方式中，在接合...

本發明提供了用于制造半導體結構的方法和結構，并且特別地提供了用于形成具有改進的平坦度以實現包括已處理半導體結構和多個鍵合半導體層的鍵合半導體結構的半導體結構。用于形成半導體結構的方法包括：在已處理半導體結構的非平坦表面上方形成介電層，對...

本發明提供了一種用于采用暫時接合制造半導體結構的工藝。本發明涉及用于制造半導體結構的工藝，其特征在于包括下述步驟：提供（E1）包括晶種基板（1）和覆蓋晶種基板（1）的弱化的犧牲層（2）的操作基板（1，2）；將操作基板（1，2）與載具基板...

本發明的實施例涉及制造半導體結構的方法，并且涉及通過這類方法構成的半導體結構。在一些實施例中，這些方法可用于制造諸如InGaN的III-V族材料的半導體結構。通過使用多組不同的生長條件生長多個子層來制造半導體層，以提高所得層的均一性，提...

本發明涉及具有第一太陽能電池堆和第二太陽能電池堆的（電壓匹配多結）太陽能電池，并且其中第一太陽能電池堆和第二太陽能電池堆彼此并聯地電連接。

本發明涉及消除接合至第二晶片（110）的第一晶片（116）的露出表面上存在的材料碎片（118）的方法，該方法包括以下步驟：將所述第一晶片（116）放置在液體溶液中；以及在該溶液中傳播超聲波。本發明還涉及用于制造多層結構（111）的工藝，...

本發明的實施方式包括用于制造半導體結構且尤其用于改善包括經處理的半導體結構和半導體結構的鍵合半導體結構的平整度的方法和結構。

本發明公開了一種形成接合半導體結構的方法及用該方法形成的半導體結構。形成半導體器件的方法包括：提供基板，該基板包括位于電氣絕緣材料層上的半導體材料層。在半導體材料層的第一側上形成第一金屬化層。貫穿晶圓互連形成為至少部分地穿過基板。在半導...

一種形成絕緣體上III/V族上鍺結構的方法。本發明涉及形成絕緣體上半導體結構(10)的方法，所述絕緣體上半導體結構(10)包括III/V族材料的半導體層(3)，其特征在于，該方法包括以下步驟：(a)在施主基板(1)上生長松弛鍺層(2)；...