本公開(kāi)提供了一種相變存儲(chǔ)器及其形成方法，所述形成方法包括：提供布線(xiàn)層；所述布線(xiàn)層至少包括沿第一方向延伸的頂部金屬層；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向?yàn)樗霾季€(xiàn)層的厚度方向；在所述布線(xiàn)層上形成沿所述第二方向延伸的接觸結(jié)構(gòu)；所述接觸...

本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種相變存儲(chǔ)器及其制造方法、電子設(shè)備，其中，相變存儲(chǔ)器包括：沿第一方向延伸的第一導(dǎo)電線(xiàn)、沿第二方向延伸的第二導(dǎo)電線(xiàn)以及沿第三方向設(shè)置于第一導(dǎo)電線(xiàn)和第二導(dǎo)電線(xiàn)之間的相變存儲(chǔ)單元；其中，第一方向和第二方向均垂直于第三方向，...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種噪聲分析方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，噪聲分析方法，包括：向三維相變存儲(chǔ)器件施加輸入電壓，使三維相變存儲(chǔ)器件發(fā)生馳豫共振；測(cè)量三維相變存儲(chǔ)器件，得到感應(yīng)電壓；基于輸入電壓和感應(yīng)電壓，分析三維相變存儲(chǔ)器件的噪聲。

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的形成方法和半導(dǎo)體器件，先在襯底上形成存儲(chǔ)單元、位于存儲(chǔ)單元上的導(dǎo)電線(xiàn)、以及位于相鄰存儲(chǔ)單元之間和相鄰導(dǎo)電線(xiàn)之間的初始間隔層。然后對(duì)初始間隔層進(jìn)行離子注入形成間隔層，間隔層包括第一間隔部和位于第一間隔部上的第二...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，半導(dǎo)體器件包括位于襯底上的第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電線(xiàn)和第二存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括若干第一存儲(chǔ)陣列和第一觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，第一觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)在第一方向上位于相鄰兩個(gè)第一存儲(chǔ)陣列之間。導(dǎo)電線(xiàn)位于第一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)背離襯底的...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的形成方法和半導(dǎo)體器件，在襯底上形成存儲(chǔ)單元層和位于存儲(chǔ)單元層上的掩模層，存儲(chǔ)單元層包括第一電極層，第一電極層包括第一電極部和第二電極部，第二電極部位于第一電極部背離襯底的一側(cè)，掩模層位于第二電極部背離襯底一側(cè)...

本公開(kāi)提供了一種相變存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)器，相變存儲(chǔ)單元包括沿第三方向依次堆疊的襯底、第一地址線(xiàn)材料層、選通材料層、負(fù)溫度系數(shù)電阻層、相變材料層和第二地址線(xiàn)材料層；負(fù)溫度系數(shù)電阻層的電阻值與環(huán)境溫度呈現(xiàn)負(fù)相關(guān)，第一地址線(xiàn)材料層沿第一方向延伸；...

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器，包括：至少一個(gè)存儲(chǔ)塊；每個(gè)存儲(chǔ)塊包括：存儲(chǔ)陣列；存儲(chǔ)陣列包括若干導(dǎo)電線(xiàn)以及若干位于導(dǎo)電線(xiàn)之間的存儲(chǔ)單元；第一虛設(shè)結(jié)構(gòu)，至少?lài)@存儲(chǔ)陣列設(shè)置，用于為測(cè)試提供固定電位；第一虛設(shè)結(jié)構(gòu)包括若干第一虛設(shè)導(dǎo)電線(xiàn)；冗余結(jié)...

本公開(kāi)提供了一種相變存儲(chǔ)器及其形成方法，所述形成方法包括：在陣列區(qū)形成第一接觸結(jié)構(gòu)，并在外圍連接區(qū)形成第二接觸結(jié)構(gòu)；所述陣列區(qū)和所述外圍連接區(qū)沿第一方向排布；所述第一接觸結(jié)構(gòu)和所述第二接觸結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸；所述第一方向與所述第二方向垂...

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：沿第一方向延伸的第一導(dǎo)電線(xiàn)、沿第二方向延伸的第二導(dǎo)電線(xiàn)以及沿第三方向設(shè)置于第一導(dǎo)電線(xiàn)和第二導(dǎo)電線(xiàn)之間的相變存儲(chǔ)單元，其中，第一方向和第二方向均垂直...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其操作方法、電子設(shè)備。其中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括：非易失性存儲(chǔ)器裝置，包括多個(gè)頁(yè)；預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的頁(yè)形成一個(gè)存儲(chǔ)組；存儲(chǔ)器控制器，與非易失性存儲(chǔ)器裝置耦接，且被配置為：在對(duì)非易失性存儲(chǔ)器裝置進(jìn)行讀取操作的過(guò)程中，根據(jù)...

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述方法包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括陣列區(qū)和至少部分圍繞所述陣列區(qū)的虛設(shè)區(qū)，所述陣列區(qū)包括第一堆疊結(jié)構(gòu)，所述虛設(shè)區(qū)包括第一填充層；在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)上形成多條第一導(dǎo)電線(xiàn)且在所述第一...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器及其形成方法，包括襯底、位于襯底上的若干分立的存儲(chǔ)單元和第一側(cè)壁保護(hù)層。存儲(chǔ)單元包括第一電極、第二電極和位于第一電極與第二電極之間的存儲(chǔ)功能層，第一電極包括沿第一方向突出于存儲(chǔ)功能層的第一突部，第二電極包括沿第一方...

本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供基底；所述基底至少包括沿第一方向疊置的存儲(chǔ)單元層；通過(guò)旋涂工藝在所述基底沿所述第一方向相對(duì)兩側(cè)中的一側(cè)形成第一掩膜材料層；對(duì)所述第一掩膜材料層進(jìn)行烘烤和紫外線(xiàn)照射，以形成第二掩膜材料層；在...

本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種新型存儲(chǔ)器及其控制方法和控制電路。該控制方法包括：在第一時(shí)段將施加到所述新型存儲(chǔ)器的至少一個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的控制信號(hào)由第一信號(hào)值變化為第二信號(hào)值；在第二時(shí)段向所述目標(biāo)存儲(chǔ)單元施加所述第二信號(hào)值的所述控制信號(hào)；在第三時(shí)...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，多條第一導(dǎo)電線(xiàn)沿第一方向延伸，多條第二導(dǎo)電線(xiàn)沿第二方向延伸，且多條第一導(dǎo)電線(xiàn)與多條第二導(dǎo)電線(xiàn)異面交叉。多個(gè)存儲(chǔ)單元沿第一方向和第二方向陣列設(shè)置，且每個(gè)存儲(chǔ)單元位于一條第一導(dǎo)電線(xiàn)與一條第二導(dǎo)電線(xiàn)的交...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N液體供應(yīng)系統(tǒng)及半導(dǎo)體設(shè)備，液體供應(yīng)系統(tǒng)包括槽體、過(guò)濾器、管路和超聲波發(fā)生裝置，槽體用于盛放液體，管路連通槽體和過(guò)濾器，用于使液體從槽體流向過(guò)濾器，過(guò)濾器用于對(duì)液體進(jìn)行過(guò)濾。至少部分管路位于超聲波發(fā)生裝置的內(nèi)部空間中，由于超...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電流鏡單元、電流鏡電路和存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中電流鏡單元包括電流鏡，包括第一輸入端、第一輸出端和第一偏置端，第一輸入端獲取電源信號(hào)，第一輸出端輸出鏡像電流信號(hào)；天線(xiàn)結(jié)構(gòu)包括天線(xiàn)模塊，天線(xiàn)模塊包括柵極、源極和漏極，柵極與第一輸入端...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法和存儲(chǔ)系統(tǒng)，該半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊包括第一地址線(xiàn)、存儲(chǔ)單元和保護(hù)層。第一地址線(xiàn)沿第一方向延伸且沿第二方向間隔排列，所述第二方向與所述第一方向垂直；存儲(chǔ)單元位于所述第一地址線(xiàn)沿第三...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，該半導(dǎo)體器件包括襯底、多條第一導(dǎo)電線(xiàn)、防氧化層、氧化層、多條第二導(dǎo)電線(xiàn)和存儲(chǔ)單元。多條第一導(dǎo)電線(xiàn)位于襯底上，防氧化層位于第一導(dǎo)電線(xiàn)的側(cè)壁，氧化層位于相鄰兩條第一導(dǎo)電線(xiàn)之間，且位于防氧化層的表面。多...