末端執行器包括主體，該主體包括第一主體部，其連接至機械臂的腕部；第二主體部，其從所述第一主體部延伸并且包括第一臂、第二臂以及位于所述第一臂與所述第二臂之間的槽；以及多個接觸墊。所述多個接觸墊包括：N個接觸墊，其被布置于所述第二主體部上鄰...

本發明提供用于在特征中沉積鉬的方法和相關的裝置。根據各種實施方案，在一些實施方案中，這些方法包括單室金屬化工藝。

本發明提供了一種在特征中沉積鉬的方法和相關裝置，該方法包括：將包含待填充鉬的襯底提供給室，該特征具有一個或更多個開口；在該特征中沉積鉬的保形薄膜；非保形地處理該保形薄膜以提高蝕刻速率，其中該處理相對于該保形薄膜較遠離該一個或更多個開口的...

公開了關于預處理處理工具的處理室的示例。一示例提供操作處理工具的方法。該方法包括，于預處理階段，在處理工具的處理室內的內表面上沉積底涂層。該方法進一步包括，在預處理階段中，通過執行一個或更多個預涂循環來沉積預涂層。每一預涂循環包括在處理...

一種靜電卡盤包含面向襯底表面，該面向襯底表面包含一個或更多個襯底接觸區域。該靜電卡盤還包含高密度等離子體(HDP)阻擋涂層，該高密度等離子體阻擋涂層位于該一個或更多個襯底接觸區域的至少一部分上。

在通過添加含鹵素活化劑分子(例如，烷基鹵化物、鹵代硅烷或I2)調節的沉積處理中，將含金屬膜(例如鉬和鉬碳化物膜)沉積在半導體襯底上。在一些實現方案中，使襯底先與含金屬前體(例如，MoCl5)接觸，隨后與含鹵素活化劑(例如，叔丁基氯化物)...

一種用于在晶片的下側表面上沉積膜的等離子體加工室，包括噴頭基座。噴頭基座包括第一分區和第二分區。上分離器翅片設置在噴頭基座的頂表面上方，并且下分離器翅片設置在噴頭基座的頂表面下方并與上分離器翅片對齊。第一分區被配置用于將第一膜沉積到晶片...

所公開的示例涉及用于多站處理工具的前體分配系統及其操作方法。一示例提出多站處理工具，其包括：兩個或更多個處理站；前體源；配料?轉向閥組件，其可操作以選擇性地將從前體源所接收的前體流導向配料路徑或轉向路徑。配料?轉向閥組件包括：前體入口，...

本發明涉及用于等離子體處理中均勻性控制的錐形上電極。一種用于襯底處理系統中的上電極包括下表面。所述下表面包括第一部分和第二部分，并且是面向等離子體的。所述第一部分包括具有第一厚度的第一表面區域。所述第二部分包括具有變化的厚度的第二表面區...

促進含金屬膜沉積的預處理方法包括將半導體襯底暴露于還原劑和抑制劑。含硅抑制劑和還原劑預處理可與含金屬阻擋膜的沉積結合使用，以及與可選的后處理一起，以移除抑制劑。選擇性沉積可以通過利用具有至少一個Si?H基團和有機部分的含硅抑制劑來實現。

一示例提供包含處理室的處理工具。該處理室包含多個處理站以及多個光傳感器。該多個光傳感器的各個光傳感器布置以在沒有介于該光傳感器與對應的處理站之間的處理站的情況下觀察該多個處理站的對應的處理站。

某些實施方案涉及具有第一表面和第二表面、氣體分配端口、位于所述表面之間的腔以及與所述腔流體隔離的液體冷卻通道的裝置，在一個方面，所述液體冷卻通道具有蛇形構型。

提供了一種半導體處理系統。該系統可以具有：處理室，其界定內部容積；前級管線，其與所述內部容積流體連接，且被配置成接收來自所述內部容積的工藝氣體，所述前級管線具有前級管線網絡和在所述前級管線網絡下游的前級管線出口導管；節流閥，其在所述前級...

一種襯底處理系統的氣體輸送系統包含氣箱，氣箱包含質量流量控制器以控制來自氣體源的氣流。氣流路徑與所述氣箱流體連通。混合流量計量系統與所述氣流路徑流體連通，并且包含控制器，所述控制器被設置成：執行第一流量計量，以在由所述質量流量控制器中的...

公開了用于控制半導體晶圓邊緣區域處的處理均勻性的方法和裝置。在一些實施方案中，該方法包括沉積含碳膜。本文還提供聚焦環，包括其可實施為在晶圓邊緣處對處理環境進行控制。

一種用于相對于至少一種第二材料蝕刻至少一種第一材料的方法，包括將襯底設置于處理室中的襯底支撐件上，以及供應載氣、至少一種熱蝕刻劑氣體以及至少一種自由基生成氣體至處理室，以相對于至少一種第二材料蝕刻至少一種第一材料。也公開了其它示例方法和...

一種處理鋁氟化物或鋁氧氟化物的方法包括：提供含氟物質至一個或更多個部件所在的處理室中，將一個或更多個部件移出處理室，以及用蝕刻組合物清潔一個或更多個部件。該一個或更多個部件包括鋁、鋁合金或含鋁材料。

一種向襯底處理系統的處理模塊供應汽化前體的組件包括設置于外殼中的多個輸送系統，以及設置于外殼中并介于相鄰的輸送系統之間以將相鄰的輸送系統彼此熱隔離的熱隔離器。每一輸送系統包括容器、加熱器以及導管。容器包括液體前體。加熱器被配置為加熱容器...

提供了用于處理半導體襯底的技術和裝置。在一些實施方案中，這樣的技術可包括：啟動第一氣靜壓軸承氣體通過第一電極組件的第一表面；將半導體襯底接收在第一電極子組件的第一表面與被設置成與第一電極子組件相對的第二電極組件的第二表面之間；通過第二表...

以介電材料填充間隙包括在沉積期間使用抑制等離子體。抑制等離子體會增加沉積膜的成核屏障。抑制等離子體選擇性地在特征的頂部附近產生作用，與特征的底部相比，抑制在特征的頂部的沉積，從而增強由下而上的填充。