本發(fā)明涉及一種方法，包括：#提供異質結構，該異質結構包括生長襯底（1）、二維材料中間層（2）和外延半導體層（3）；#提供剛性襯底（4），該襯底包含弱化平面（5）；#通過將剛性襯底與異質結構結合來制造第一組件，第一面（F）和外延層（3）位...

一種用于復合襯底的載體(Sprt)，該載體(Sprt)包括與基礎襯底(BSprt)接觸的電荷俘獲層(Trap)，該俘獲層包括由相對介電常數(shù)比二氧化硅低的材料制成的低介電常數(shù)層，并且所述相對介電常數(shù)比二氧化硅低的材料為SiOC或SIOCH。

本發(fā)明涉及一種用于將層轉移到載體襯底上的方法，該方法包括：a)在載體襯底中形成空腔的步驟，所述空腔經由主面開口，b)轉移密封層的步驟，該密封層旨在密封在步驟a)期間形成的所述空腔的所有空腔；執(zhí)行步驟a)使得所有空腔規(guī)則地分布在該主面的主...

本發(fā)明涉及耦合腔濾波器結構和SAW梯式濾波器裝置。本發(fā)明涉及一種耦合腔濾波器結構，其使用表面聲波，具體使用引導表面聲波，其包括：聲波傳播基板；設置在基板上、各自包括叉指梳狀電極的至少一個輸入換能器結構和一個輸出換能器結構；一個反射結構，...

本發(fā)明涉及一種制造多個多晶碳化硅襯底(200)的方法，所述方法包括以下步驟：·通過在臨時支撐襯底(10)的至少一個面上交替沉積多個多晶碳化硅層(20，21，22，23，24)和多個分隔層(30，31，32，33)來形成多層結構體，·通過...

本發(fā)明涉及一種襯底(300)的制造方法，所述襯底包括多晶碳化硅層(30，30A，30B)以及與所述多晶碳化硅層直接接觸的單晶碳化硅層(20，20A，30B)，所述方法依次包括以下步驟：?將第一單晶碳化硅層(20,20A)轉移至臨時石墨支...

本發(fā)明涉及一種最終基板(S)，該最終基板依次包括以下項并且以下項彼此接觸：由半導體材料制成的上層(5)、厚度大于200nm的介電層(4)、電荷捕獲層(2)和基礎基板(3)。最終基板(S)的曲率小于60微米，優(yōu)選地小于40微米。上層(5)...

本發(fā)明涉及一種用于形成一個或更多個垂直腔激光二極管的半導體結構，其包括：?半導體層的堆疊，其基于III?V族組分、限定了布置在由允許在限定的波長下的激光發(fā)射的至少一個量子阱構成的有源層上的上布拉格鏡，有源層布置在下布拉格鏡上，激光發(fā)射旨...

結構(Struct)包括鐵電層(Ferrolay)，該鐵電層在第一區(qū)域中具有第一極化(P1)并且在不同于第一區(qū)域的第二區(qū)域(V)中具有與第一極化相反的第二極化(P2)，第一極化和第二極化垂直于或傾斜于鐵電層取向，第二極化區(qū)域比第一極化區(qū)...

本公開涉及一種降低絕緣體上半導體基板（1）的半導體層（12）中的硼濃度的方法，所述方法包括：??至少一個熱處理循環(huán)，每個循環(huán)包括半導體層（12）的熱氧化，以便在半導體層（12）上形成氧化物層（120），其中，通過硼偏析，來自半導體層（1...

本發(fā)明涉及一種用于制造包括限定在薄層和載體襯底之間的多個腔體的結構體的方法，該方法包括以下步驟：a)提供供體襯底和載體襯底；b)將第一輕物質注入到供體襯底中，以便形成均勻的掩埋弱化平面，該均勻的掩埋弱化平面與供體襯底的正面一起界定要轉移...

結構體包括鐵電層(Ferrolay)，該鐵電層在第一體積(V1)中具有第一極化(P1)并且在不同于該第一體積的第二體積(V2)中具有與該第一極化相反的第二極化(P2)，該第一極化和該第二極化垂直于或傾斜于該鐵電層取向，其中該第一體積(V...

本公開涉及一種在半導體基板（6）中形成弱化區(qū)（5）的方法，該方法依次包括以下步驟：a.?在基板的第一面（61）上形成具有非平面受控輪廓的屏蔽層（4），b.?穿過屏蔽層和基板的第一面（61）注入物質以形成弱化區(qū)，屏蔽層的輪廓被選擇為按照使...

本發(fā)明涉及一種用于制造多層結構的方法，該方法包括以下步驟：?提供支撐襯底(40)，該支撐襯底包括支撐層(41)和多孔硅層(42)；?提供供體襯底(50)，該供體襯底包括掩埋脆性平面(50B)和表面層(51)；?通過接合來組裝(S3)該支...

一種器件，該器件包括：含有鋰的鐵電表面層(20)；介電層(16)，該介電層包含氧化物，并且與鐵電表面層接觸放置；和與介電層接觸的襯底(10)，該襯底包括布置在載體(12)上的電荷捕獲層(14)，該電荷捕獲層(14)布置在載體(12)與介...

本發(fā)明涉及一種制造具有外延沉積層的半導體襯底的方法，該方法包括以下連續(xù)步驟：??蝕刻(ETCH)外延反應器的基座；??涂覆(COAT)所述基座；??在基座上放置半導體襯底；??在半導體襯底上沉積(EPI)外延層。該方法在涂覆后且在沉積前...

本發(fā)明涉及一種用于穩(wěn)定半導體材料(特別是單晶半導體材料)表面以防止形成臺階和/或珠狀物的方法，所述方法包括在大于或等于80kPa(800毫巴)的壓力下在所述表面上以氣相形成玻璃質碳層(30)。

本公開涉及一種用于制造用于檢測可見光和短波紅外線的圖像傳感器的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：a.提供包括第一半導體材料的載體襯底(1、1')；b.在載體襯底(1、1′)中形成空腔(5)，以在所述空腔(5)之間的第一半導體材料中限...

本發(fā)明涉及一種用于制造復合結構的方法，該方法包括以下步驟：(a)形成包括中間襯底(2)和第一材料的多個區(qū)塊(P1、P2、P3)的臨時襯底(20)；(b)經由區(qū)塊將臨時襯底結合到由不同于第一材料的第二材料制成的受體襯底(3)；以及(c)去...

一種用于微電子應用的結構體(Struct)，其沿著延伸平面延伸，包括砷化硼B(yǎng)as的結晶層(BAs<subgt;lay</subgt;)，其具有分別沿著彼此垂直并且在所述延伸平面中的兩個方向的兩個維度，每個維度至少為2cm。