描述了借由將基板表面暴露于鹵化物前驅(qū)物和有機(jī)硅烷反應(yīng)物來沉積金屬膜的方法。該鹵化物前驅(qū)物包含通式(I)的化合物：MQzRm，其中M為金屬，Q為選自Cl、Br、F或I的鹵素，z為1至6，R選自烷基、CO、和環(huán)戊二烯基，并且m為0至6。該鋁...

本公開內(nèi)容的實(shí)施方式大致上涉及高效感應(yīng)耦合等離子體源和等離子體處理設(shè)備。具體地，實(shí)施方式涉及用于改善等離子體均勻性的網(wǎng)格。在一個(gè)實(shí)施方式中，提供了一種等離子體處理設(shè)備。此等離子體處理設(shè)備包括處理腔室、設(shè)置在處理腔室內(nèi)的基板支撐件、耦接至...

本文所述的多個(gè)實(shí)施方式涉及平板光學(xué)裝置和用于平板光學(xué)裝置的封裝材料。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括基板，該基板具有形成于基板上的第一多個(gè)柱的第一布置。第一多個(gè)柱的第一布置包括具有高度h和橫向距離d的柱。第一多個(gè)柱的第一布置包括與第一多個(gè)柱的相鄰...

描述了形成晶體管，例如FinFET的方法。在溝槽中形成共形襯墊層。在溝槽結(jié)構(gòu)的金屬間隙填充期間以規(guī)則或半規(guī)則間隔引入金屬氮化物材料，以防止在結(jié)構(gòu)內(nèi)形成空隙（氣隙）。該金屬氮化物材料和該金屬間隙填充材料可以藉由原子層沉積方法來沉積。

一種裝置包括第一板、第二板、及無機(jī)介電鍵合件，此第一板包括第一介電材料并且具有嵌入此第一板中的第一組電極，此第二板包括第二介電材料并且具有嵌入此第二板中的第二組電極，此無機(jī)介電鍵合件包括無機(jī)介電材料且設(shè)置在此第一板和此第二板之間。此第一...

本文描述的實(shí)施例涉及一種光學(xué)器件計(jì)量系統(tǒng)，所述光學(xué)器件計(jì)量系統(tǒng)包括光源，所述光源可操作以將光發(fā)射到第一光電檢測(cè)器光路徑和光學(xué)光路徑中。設(shè)置在所述第一光電檢測(cè)器光路徑中的第一光電檢測(cè)器測(cè)量所述光的總功率。設(shè)置在所述光學(xué)光路徑中的所述光學(xué)器...

本公開是使用成形脈沖偏壓產(chǎn)生任意形狀的離子能量分布函數(shù)的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括：向處理腔室的電極施加負(fù)跳變電壓來為晶片設(shè)定晶片電壓，調(diào)制所述晶片電壓的振幅以產(chǎn)生具有不同振幅的脈沖串組序列，以及重復(fù)調(diào)制所述晶片電壓的所述...

在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成電觸點(diǎn)的方法包括對(duì)具有用于p型金屬氧化物半導(dǎo)體（p?MOS）裝置的p型半導(dǎo)體區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行孔穴成形工藝，孔穴成形工藝包含在p型半導(dǎo)體區(qū)的暴露表面中形成第一孔穴，執(zhí)行第一選擇性沉積工藝以選擇性在第一孔穴中形成第一孔穴...

本文提供的實(shí)施例總體包括用于產(chǎn)生對(duì)處理腔室中的基板進(jìn)行等離子體處理的波形的設(shè)備、等離子體處理系統(tǒng)和方法。一個(gè)實(shí)施例包括波形產(chǎn)生器，所述波形產(chǎn)生器具有電壓源電路系統(tǒng)、耦合在電壓源電路系統(tǒng)與波形產(chǎn)生器的第一輸出節(jié)點(diǎn)之間的第一開關(guān)、以及耦合在...

納米粉末包含納米粒子，該納米粒子具有帶有薄膜涂層的核心粒子。核心粒子與薄膜涂層獨(dú)立地由含稀土金屬氧化物、含稀土金屬氟化物、含稀土金屬氟氧化物或其組合中的至少一個(gè)所形成。可使用諸如原子層沉積(ALD)的非直視性技術(shù)形成薄膜涂層。本文也公開...

公開了選擇性沉積期間的表面預(yù)處理方法。本公開內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式提供了有助于去除阻隔層的表面預(yù)處理。本公開內(nèi)容的一些實(shí)施方式包括表面預(yù)處理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在經(jīng)修改第一表面上沉積阻隔層，相較于阻...

提供一種用于在由處理滾筒(170)支撐的柔性基板(160)上沉積材料的蒸發(fā)設(shè)備(100)。所述蒸發(fā)設(shè)備包括第一組蒸發(fā)坩堝(110)和氣體供應(yīng)管(130)。第一組蒸發(fā)坩堝(110)沿第一方向排列在第一線(120)中，以產(chǎn)生將沉積于柔性基板...

一種方法包括獲得一組串聯(lián)太陽能電池器件，并在該組串聯(lián)太陽能電池器件中的每個(gè)串聯(lián)太陽能電池器件上，通過沉積處理形成離散的封裝層，該封裝層位于串聯(lián)太陽能電池器件的上表面及側(cè)表面上。

提供了用于遠(yuǎn)程等離子體源使用點(diǎn)的方法和設(shè)備。在實(shí)施例中，遠(yuǎn)程等離子體設(shè)備包括：殼體，所述殼體圍繞空腔；第一導(dǎo)體，所述第一導(dǎo)體圍繞所述殼體的第一部分；第二導(dǎo)體，所述第二導(dǎo)體圍繞所述殼體的第二部分，其中所述殼體的所述第一部分與所述殼體的所述...

一種方法包括：在波導(dǎo)上方沉積第一前驅(qū)物，所述第一前驅(qū)物沉積在所述波導(dǎo)的第一光柵、第二光柵和所述第一光柵與所述第二光柵之間的中間區(qū)域上方，并且沉積至具有第一厚度。所述方法進(jìn)一步包括：執(zhí)行第一臭氧固化工藝，所述第一臭氧固化工藝固化所述第一前...

一些實(shí)施例涉及一種調(diào)諧電路。調(diào)諧電路通常包括：第一阻抗；第二阻抗，耦合到第一阻抗；變壓器，具有初級(jí)繞組及磁性耦合到初級(jí)繞組的次級(jí)繞組，其中初級(jí)繞組耦合到調(diào)諧電路的控制輸入；以及信號(hào)路徑，與第一阻抗或第二阻抗并聯(lián)耦合，其中次級(jí)繞組系與第一...

本揭示案之實(shí)施例有利地提供了半導(dǎo)體組件，尤其系鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)，以及制造具有提高的有效電容(Ceff)的此類組件的方法。FinFET包括閘極結(jié)構(gòu)，其中藉由使安置在閘極結(jié)構(gòu)與間隔物層之間的高介電常數(shù)材料層凹入來提供氣隙，藉此...

本文公開的實(shí)施例包括對(duì)金屬氧化物光刻膠進(jìn)行干式顯影的方法。在一實(shí)施例中，一種對(duì)金屬氧化物光刻膠（諸如Sn基光刻膠）進(jìn)行圖案化的方法，包括在基板上沉積金屬氧化物光刻膠，利用極紫外(EUV)曝光來曝光金屬氧化物光刻膠以形成曝光區(qū)和未曝光區(qū)，...

本技術(shù)包括具有改進(jìn)位線和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)觸點(diǎn)電阻率和自對(duì)準(zhǔn)的垂直單元?jiǎng)討B(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）陣列，以及制造這種陣列的方法。該陣列包括在第一水平方向上布置的多條位線和在第二水平方向上布置的多條字線。該陣列包括多個(gè)溝道，在與第一方向和第二水平...

化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)包括：第一拋光站，所述第一拋光站包括第一工作臺(tái)以支撐第一拋光墊；傳送站，所述傳送站用于從機(jī)器人接收基板；承載頭，所述承載頭可在預(yù)定路徑上從拋光站移動(dòng)到傳送站；氣體流量調(diào)節(jié)器，所述氣體流量調(diào)節(jié)器具有用于載體氣體的輸入；液體...