本公開(kāi)的實(shí)施例提供用于形成子電路（例如子像素電路）的方法。一個(gè)示例的子電路大致上包括：設(shè)置在基板上方的背板層；設(shè)置在所述背板層上方的像素界定層（PDL），所述PDL暴露設(shè)置在所述背板層與所述基板上方的陽(yáng)極；以及設(shè)置在所述PDL上方的多個(gè)...

一種金屬間隙填充的方法，包括通過(guò)等離子體增強(qiáng)原子層沉積，在存在于場(chǎng)上和/或特征開(kāi)口中的介電層上沉積金屬層，所述方法使用金屬鹵化物前驅(qū)物和含有氫及惰性氣體的等離子體；并在場(chǎng)上和開(kāi)口中直接在金屬層上方沉積金屬間隙填充材料，其中金屬間隙填充材...

描述了一種用于藉由至少一個(gè)電子束柱測(cè)試封裝基板的方法。方法包括將封裝基板放置在真空腔室中的臺(tái)上；藉由至少一個(gè)電子束柱測(cè)試真空腔室中的封裝基板上的一或多個(gè)線路網(wǎng)；以及在測(cè)試一或多個(gè)線路網(wǎng)的同時(shí)使一或多個(gè)線路網(wǎng)放電。

所公開(kāi)的是用于形成3D?NAND設(shè)備的字線觸點(diǎn)的方法。方法可以包括：提供交替的第一層和第二層的薄膜疊層；在所述薄膜疊層上形成第一平板印刷掩模；以及執(zhí)行交替的平板印刷和蝕刻過(guò)程的第一系列，以在所述薄膜疊層中形成觸點(diǎn)開(kāi)口對(duì)陣列，其中在每個(gè)蝕...

描述了半導(dǎo)體制造處理腔室，其具有在支撐環(huán)及噴頭之間的RF隔離器、和/或在噴頭及氣體漏斗之間的RF墊圈。帽插件具有圍繞帽插件的帽外殼，所述帽插件在氣體漏斗上，且RF饋送件與噴頭接觸。可包括基板支撐件且基板支撐件可具有引導(dǎo)穿過(guò)基板支撐件的R...

本案揭露了用于快速且有效地檢測(cè)晶片中的缺陷的系統(tǒng)和技術(shù)，包括具有耦接到晶片載器和裝載閘腔室的工廠接口（FI）的系統(tǒng)。FI包括機(jī)器人，機(jī)器人從晶片載體取得晶片并將第一晶片移送至對(duì)準(zhǔn)器裝置。對(duì)準(zhǔn)器裝置向晶片施加旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)并使用晶片的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)來(lái)...

本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種射頻（RF）回程裝置。一個(gè)示例的RF回程裝置通常包括用于連接至腔室主體的支架、連接至支架的蓋、以及連接至蓋并配置為接觸基板支撐的接觸板。使用本文描述的RF回程裝置通常能夠減少RF回程裝置及其各種元件所暴露的溫度，...

一種用于半導(dǎo)體裝置的在頂表面上具有高介電常數(shù)介電膜的結(jié)構(gòu)可以用于形成由具有減少的介電表面區(qū)域及減少的金屬柱的節(jié)距的混合接合結(jié)構(gòu)所組成的裝置。介電膜的介電常數(shù)可以是約或大于8。可以將結(jié)構(gòu)的介電膜與類似結(jié)構(gòu)的介電膜混合接合來(lái)形成裝置。用于形...

本公開(kāi)內(nèi)容涉及用于半導(dǎo)體制造的氣流基板支撐件、處理腔室以及相關(guān)方法和設(shè)備。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，一種適用于半導(dǎo)體制造的基板支撐件包括：第一外表面；壁架，設(shè)置在第一外表面內(nèi)部并相對(duì)于第一外表面凹陷；及凹穴，界定凹穴表面，所述凹穴表面設(shè)置在...

本揭露涉及制備涂覆顆粒的方法，該涂覆顆粒包括藥物核心和通過(guò)蒸氣相沉積（超循環(huán)）施加的無(wú)機(jī)氧化物涂層。相較于未涂覆的藥物顆粒，這些涂覆顆粒具有修改的藥物釋放曲線。

本技術(shù)一般涉及垂直單元陣列晶體管（VCAT）和形成這種VCAT的方法。VCAT包括在第一水平方向上布置的一條或多條位線、在第二水平方向上布置的一條或多條字線、以及一個(gè)或多個(gè)溝道，所述一個(gè)或多個(gè)溝道在與第一方向和第二水平方向大體上正交的垂...

一種方法包括獲得串聯(lián)太陽(yáng)能電池裝置的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，以及使用低損壞濺射沉積(LDSD)工藝在基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上形成透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層。LDSD工藝包括旋轉(zhuǎn)面向?yàn)R射沉積工藝。

一種形成全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAA?FET)的一部分的方法包括在基板的被淺溝槽隔離(STI)隔離的部分中形成的凹槽中形成預(yù)留位置，每個(gè)預(yù)留位置經(jīng)由帽層與延伸區(qū)域介接，所述凹槽延伸到在基板上形成的層間電介質(zhì)(ILD)中；相對(duì)于基板、帽...

一種用于使含硼硬掩模圖案化的方法包括使在含硼硬掩模上形成的氧化物硬掩模圖案化；及使用此圖案化氧化物硬掩模使此含硼硬掩模圖案化，其中此氧化物硬掩模包含氧化硅(SiO2)，此含硼硬掩模摻雜有一或多種金屬元素，且此含硼硬掩模的此圖案化包含使用...

本文提供利用檢測(cè)的混合黏接的方法及設(shè)備。在一些實(shí)施例中，一種利用檢測(cè)的混合黏接的方法包括：經(jīng)由第一清潔腔室清潔基板，及經(jīng)由第二清潔腔室清潔具有多個(gè)小芯片的帶框；經(jīng)由第一計(jì)量系統(tǒng)在第一計(jì)量腔室中檢測(cè)基板的黏接前缺陷，及在第二計(jì)量腔室中檢測(cè)...

示例性處理方法可包括向處理腔室的處理區(qū)域提供粉末。所述方法可包括向所述處理區(qū)域提供一或更多種沉積前體。所述方法可包括產(chǎn)生所述一或更多種沉積前體的等離子體流出物。所述方法可包括在所述處理區(qū)域中的所述粉末上沉積材料層。所述材料層可包括耐腐蝕...

本公開(kāi)內(nèi)容提供了波導(dǎo)及其形成方法。所述波導(dǎo)包括多個(gè)光柵。該多個(gè)光柵包括設(shè)置在波導(dǎo)基板上方的光柵結(jié)構(gòu)。所述光柵結(jié)構(gòu)包括光柵深度。波導(dǎo)層設(shè)置在該波導(dǎo)基板上方，位于該多個(gè)光柵中的每個(gè)光柵與該波導(dǎo)基板的邊緣之間。該波導(dǎo)層具有蝕刻深度。該蝕刻深度...

用于接合前檢查的光學(xué)檢查系統(tǒng)包括：平臺(tái)，具有其上放置待檢查樣品的表面，所述樣品的表面具有帶有可能包括缺陷的二維（2D）周期性圖案的至少部分；包括光學(xué)元件的光學(xué)頭；暗視場(chǎng)照射器，被配置為以第一角度照射樣品的表面，其中第一角度是傾斜角；明視...

本文提供的公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式包括波導(dǎo)組合器。更具體地，本文描述的實(shí)施方式提供了具有波導(dǎo)層及涂層的波導(dǎo)組合器，所述涂層具有在所述涂層上方設(shè)置的漸縮部分。波導(dǎo)包括一或多個(gè)光柵，所述一或多個(gè)光柵包括在波導(dǎo)基板上方設(shè)置的多個(gè)光柵結(jié)構(gòu)，其中光柵結(jié)...

本文描述了制造電子器件的方法。本公開(kāi)的實(shí)施例有利地提供了制造滿足減小的厚度、減少的泄漏、更低的熱預(yù)算和Vt要求（包括多Vt）并具有改善的器件效能和可靠性的電子器件（例如，互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)）的方法。所述方法的一些實(shí)施例包括常規(guī)...