一種清潔用于電子制造系統(tǒng)的腔室的方法包括使包含氧氣和載氣的氣體混合物流入遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生器中。方法進(jìn)一步包括通過(guò)遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生器由氣體混合物產(chǎn)生等離子體并且通過(guò)使等離子體流入腔室的內(nèi)部體積中來(lái)執(zhí)行腔室的遠(yuǎn)程等離子體清潔，其中等離子體從...

一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。提供了一種基板。在基板的頂部上形成至少一個(gè)硅層。在至少一個(gè)硅層的頂部上形成至少一個(gè)硅鍺層。至少一個(gè)硅鍺層包括至少一種n型摻雜劑。形成具有至少一個(gè)硅層及至少一個(gè)硅鍺層的半導(dǎo)體裝置。

示例性半導(dǎo)體處理腔室可包括腔室主體，所述腔室主體具有側(cè)壁及基底。所述腔室可包括在所述腔室主體頂上擱置的泵送襯墊。所述泵送襯墊可至少部分界定環(huán)形泵送氣室及至少一個(gè)排放孔，所述排放孔將所述泵送氣室與所述腔室主體的內(nèi)部流體耦接。所述腔室可包括...

本文提供了用于使基板對(duì)準(zhǔn)的基板支撐件的實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，一種用于使基板對(duì)準(zhǔn)的基板支撐件包括：底板；旋轉(zhuǎn)組件，所述旋轉(zhuǎn)組件包括定子和轉(zhuǎn)子，所述定子耦接到所述底板，所述轉(zhuǎn)子經(jīng)由設(shè)置在所述定子與所述轉(zhuǎn)子之間的軸承可旋轉(zhuǎn)地耦接到所述定子；...

本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例提供用于蝕刻氧化物材料的多種方法。本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例提供優(yōu)先于其他材料而選擇性蝕刻氧化物材料的方法。在一些實(shí)施例中，本公開(kāi)內(nèi)容的方法是通過(guò)原子層蝕刻（ALE）執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，本公開(kāi)內(nèi)容的方法是在包括鎳腔室材料...

范例處理方法可包括提供用于半導(dǎo)體處理的組件至處理腔室的處理區(qū)。此方法可包括提供一或多種沉積前體至所述處理區(qū)。此一或多種沉積前體可包括含金屬前體與含氟前體。此方法可包括在所述處理區(qū)中用于半導(dǎo)體處理的所述組件上沉積材料層。此材料層包括含金屬...

半導(dǎo)體處理的示例性方法可包括將沉積前驅(qū)物提供到半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)。沉積前驅(qū)物可包括含硅前驅(qū)物和含金屬前驅(qū)物。含硅前驅(qū)物和含金屬前驅(qū)物在到達(dá)處理區(qū)之前可被流體地隔離。基板可被容納在處理區(qū)內(nèi)。這些方法可包括產(chǎn)生沉積前驅(qū)物的等離子體流出物...

半導(dǎo)體處理的示例性方法可包括將沉積前驅(qū)物提供到半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域。所述沉積前驅(qū)物可包括含硅和鹵素前驅(qū)物和含金屬前驅(qū)物。基板可被容納在所述處理區(qū)域內(nèi)。所述方法可包括產(chǎn)生所述沉積前驅(qū)物的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上形成含...

本文提供了具有冷卻板的處理腔室的實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，一種處理腔室包括：腔室主體，所述腔室主體在其中限定內(nèi)部容積，所述腔室主體具有觀(guān)察端口側(cè)、泵側(cè)和閘門(mén)側(cè)，所述觀(guān)察端口側(cè)具有被配置為觀(guān)察端口的開(kāi)口，所述泵側(cè)具有泵端口，所述閘門(mén)側(cè)與所述...

本文公開(kāi)的示例涉及用于檢查燈尺寸的方法和設(shè)備。方法包括確定燈的實(shí)際測(cè)量結(jié)果。燈被配置為在基板處理設(shè)備中加熱基板。產(chǎn)生具有寬度和高度的窗口。窗口基于燈的目標(biāo)測(cè)量結(jié)果。方法進(jìn)一步包括：基于實(shí)際測(cè)量結(jié)果的圖像與窗口之間的差產(chǎn)生偏差。將偏差與第...

一些實(shí)施方式是針對(duì)調(diào)諧電路。所述調(diào)諧電路通常包括：耦合在所述調(diào)諧電路的第一端子與第二端子之間的第一阻抗，其中所述第一端子耦合到產(chǎn)生器，且所述第二端子耦合到負(fù)載；耦合在所述調(diào)諧電路的所述第一阻抗與參考電勢(shì)節(jié)點(diǎn)之間的第二阻抗；以及耦合到所述...

茲提供邏輯元件及制造邏輯元件的方法。所述半導(dǎo)體邏輯元件包括：位于基板上之n?通道環(huán)繞式柵極(n?GAA)場(chǎng)效晶體管，其與位于基板上之p?通道環(huán)繞式柵極(p?GAA)場(chǎng)效晶體管整合，p?通道環(huán)繞式柵極(p?GAA)場(chǎng)效晶體管鄰近n?通道環(huán)...

本揭示案系關(guān)于用于半導(dǎo)體制造的加熱器及相關(guān)腔室套件和處理腔室。在一或多個(gè)實(shí)施例中，一種適用于半導(dǎo)體制造的腔室套件包括加熱器和內(nèi)襯。加熱器包括弧形加熱器主體，該弧形加熱器主體包括一或多個(gè)第一部分、一或多個(gè)第二部分以及一或多個(gè)連接器部分。加...

本文公開(kāi)的實(shí)施例包括用于大面積基板的浸沒(méi)式電感耦合和電容耦合等離子體激發(fā)方法、設(shè)備和工藝。一種處理腔室包括：底座，所述底座用于在處理空間中支撐工件；感應(yīng)元件陣列，所述感應(yīng)元件陣列在所述處理空間在底座上方的一部分中；以及腔室頂或腔室蓋，所...

本文提供的實(shí)施例大體包括設(shè)備，例如，等離子體處理系統(tǒng)，以及用于對(duì)處理腔室中的基板進(jìn)行等離子體處理的方法。一些實(shí)施例涉及波形產(chǎn)生器。波形產(chǎn)生器大體包括第一電壓級(jí)，所述第一電壓級(jí)具有：第一電壓源；第一開(kāi)關(guān)；以及第二開(kāi)關(guān)，其中第一電壓源的第一...

本公開(kāi)的實(shí)施方式包括用于制造雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的裝置和方法。光刻膠第一區(qū)域內(nèi)的第一部分暴露于來(lái)自輻射源的第一劑量的電磁輻射。所述第一部分具有第一深度和第一表面積。所述光刻膠的所述第一區(qū)域內(nèi)的第二部分則暴露于來(lái)自所述輻射源的第二劑量的電磁輻射。所...

描述了借由將基板表面暴露于鹵化物前驅(qū)物和有機(jī)硅烷反應(yīng)物來(lái)沉積金屬膜的方法。該鹵化物前驅(qū)物包含通式(I)的化合物：MQzRm，其中M為金屬，Q為選自Cl、Br、F或I的鹵素，z為1至6，R選自烷基、CO、和環(huán)戊二烯基，并且m為0至6。該鋁...

本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式大致上涉及高效感應(yīng)耦合等離子體源和等離子體處理設(shè)備。具體地，實(shí)施方式涉及用于改善等離子體均勻性的網(wǎng)格。在一個(gè)實(shí)施方式中，提供了一種等離子體處理設(shè)備。此等離子體處理設(shè)備包括處理腔室、設(shè)置在處理腔室內(nèi)的基板支撐件、耦接至...

本文所述的多個(gè)實(shí)施方式涉及平板光學(xué)裝置和用于平板光學(xué)裝置的封裝材料。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括基板，該基板具有形成于基板上的第一多個(gè)柱的第一布置。第一多個(gè)柱的第一布置包括具有高度h和橫向距離d的柱。第一多個(gè)柱的第一布置包括與第一多個(gè)柱的相鄰...

描述了形成晶體管，例如FinFET的方法。在溝槽中形成共形襯墊層。在溝槽結(jié)構(gòu)的金屬間隙填充期間以規(guī)則或半規(guī)則間隔引入金屬氮化物材料，以防止在結(jié)構(gòu)內(nèi)形成空隙（氣隙）。該金屬氮化物材料和該金屬間隙填充材料可以藉由原子層沉積方法來(lái)沉積。