所揭露的系統及技術針對半導體制造的改良。在一個所揭露的實施例中，所揭露的系統及技術包括：在基板的前表面上沉積一個或多個膜；在該一個或多個所沉積的膜上形成應力補償層(SCL)，該SCL致使該基板中的應力改變；使該SCL經受應力減緩射束以減...

本文描述裝置及用于創造裝置的方法，所述裝置包含背板，所述背板包含多個背板電極，其中每個背板電極包含第一材料。多個微型LED具有多個微型LED電極，每個微型LED電極包含第二材料，其中每個微型LED電極利用介于所述微型LED電極與所述背板...

一種對用于處理晶片的至少一部分的自動缺陷檢測及分類的學習模型加以訓練的方法及設備包括：接收具有處理后晶片的部分的缺陷分類類型及特征的標記影像；創建第一訓練集，所述第一訓練集包括所接收標記影像；使用所述第一訓練集訓練所述機器學習模型，以基...

本揭示案的實施例大體上系關于不含電漿的低溫預清潔制程，以選擇性地自基板的表面移除污染物，諸如含鹵素及/或含金屬氧化物的污染物。藉由使用微波源在低溫下執行不含電漿的預清潔制程，該微波源經配置以向安置在處理腔室內的處理氣體提供微波能量。無電...

提供了一種將材料沉積在基板上的方法。所述方法包括：在第一功率循環期間利用第一電源將第一濺射材料從第一旋轉靶引向第二旋轉靶，在所述第一功率循環期間利用第二電源將第二濺射材料從第三旋轉靶引向所述第二旋轉靶，將所述第一電源和所述第二電源從所述...

提供一種用于借由至少一個電子束柱來測試封裝基板的方法。方法包括第一測試操作，其中第一測試操作包括：將封裝基板定位在真空腔室中；將電壓源連接至封裝基板的第一大網絡的一個或多個第一接觸襯墊，第一大網絡包含具有大量接觸襯墊的第一多個接觸襯墊，...

形成含硅及碳的材料的示例性方法可包括向半導體處理腔室的處理區域提供含硅前體。基板可容納在所述半導體處理腔室的所述處理區域內。所述方法可包括向所述處理區域提供含氫前體。所述方法可包括在所述處理區域中產生所述含硅前體的等離子體流出物及所述含...

可用于顯示器諸如有機發光二極管（OLED）顯示器中的子像素電路和形成子像素電路的方法。在一個示例中，一種設備包括：基板；像素限定層（PDL）結構，所述像素限定層（PDL）結構設置在所述基板上方并且限定所述設備的子像素；和多個懸伸結構。所...

通過在多個位置獲得校準基板的頂層的地表實況厚度測量結果來訓練神經網絡以用于基板厚度測量系統，每一位置為在基板上制造的管芯的定義位置。獲取校準基板的多個彩色圖像，每一彩色圖像對應于在基板上制造的管芯的區域。訓練神經網絡以將來自直列式基板成...

一種用于預接合檢查的光學檢查系統，包括：臺，具有在其上置放待檢查樣本的表面，所述樣本的表面具有二維(2D)周期圖案及缺陷；光纖；透射式空間光調制器(SLM)；測量透鏡，被配置為透射經由透射式SLM透射的光束；照相機，被配置為檢測來自測量...

本文描述的實施方式涉及一種光學裝置及形成光學裝置的方法。所述光學裝置包括基板、照射源、覆蓋層、封裝層、及鈍化層。所述封裝層包括第一原子層沉積(ALD)層、化學氣相沉積(CVD)層、及第二ALD層。所述方法包括：在照射層上方設置覆蓋層，所...

用于處理站的處理套件組件，包括蓋環和遮蔽裝置。該遮蔽裝置包括配置為與蓋環交錯的下遮蔽部分。該遮蔽裝置還包括上遮蔽部分，上遮蔽部分包含從上遮蔽部分的內側延伸到外側的遮蔽口。上遮蔽部分進一步包括在內側形成的陰影表面，陰影表面配置為避免遮蔽口...

在一些實施方式中揭露了一種用超薄電氣耗散材料涂覆以提供從涂層到接地的耗散路徑的腔室部件(例如終端受動器主體)。所述涂層可以經由化學前驅物沉積來沉積以用高成本效益的方式提供均勻、保形、且不含孔隙的涂層。在所述腔室部件包括終端受動器主體的一...

本文揭示了一種用于處理來自處理腔室的流出物的方法及系統。在一個實施例中，藉由使碳氫化合物處理氣體流入在其中設置有基板的處理腔室中、使用會產生有機副產物的碳氫化合物處理氣體在基板上執行工藝、將有機副產物自處理腔室排放至具有減量反應區域的前...

用于檢查擴散器的自動化光學檢查工具包括一或多個照明來源，以照亮擴散器中的開口結構，以及影像顯微鏡單元（VMU），該單元包括固定鏡頭，以放大來自開口結構的反射光。該自動化光學檢查工具進一步包括光學裝置，該光學裝置包含變焦鏡頭，該變焦鏡頭設...

描述了包括用于在半導體基板上形成介電膜的半導體處理方法的實施方式。所述方法可包括將含硅前體及含氮前體提供到半導體處理腔室的處理區域。基板可在所述處理區域內設置。所述方法可包括將惰性前體提供到所述半導體處理腔室的所述處理區域。所述方法可包...

方法包括通過處理裝置獲得工藝腔室的經校準的反饋控制裝置的測量值。方法進一步包括通過處理裝置基于經校準的反饋控制裝置的測量值來確定工藝腔室的等離子體產生設備的第一性能指示。方法進一步包括自工藝腔室的第一傳感器獲得等離子體產生設備的第二性能...

本文所述的實施例系關于具有分離輸入耦合器的波導組合器。在一個實施例中，提供了一種裝置。該裝置包括第一濾色片以從光的第一部分過濾出第一色光。該第一濾色片與第一輸入耦合器對準。第一波導層設置在該第一濾色片的下方，該第一輸入耦合器設置在該第一...

一種方法包括：接收基板的光譜數據以及與基板的光譜數據對應的計量數據。方法進一步包括：確定多個特征模型中的每一者的多個特征模型配置，多個特征模型配置中的每一者包括一或更多個特征模型條件。方法進一步包括：確定多個特征模型組合，其中多個特征模...

一種用于形成半導體結構的歐姆觸點的方法利用物理氣相沉積膜。在一些實施方式中，此方法可包含在基板上的III?V族半導體材料中形成至少一個凹部，在此半導體材料上形成掩模，其中至少此凹部未經遮蔽，使用物理氣相沉積(PVD)工藝在此凹部中沉積金...