一種基于小芯片的架構可量化或減少人工智能處理器中的數據路徑的各個級處的位數量。該架構可利用一起量化多個維度之間的協同作用來大幅度減少存儲器使用和數據路徑帶寬。可在訓練程序之后靜態量化內部權重。可在推理操作期間動態量化累加器位和激活位。新...

本技術包括具有改進浮體效應的垂直單元陣列晶體管（VCAAT）。這些陣列包括沿第一水平方向排列的一個或多個位元線和沿第二水平方向排列的一個或多個字線。陣列包括在與第一方向和第二水平方向大致正交的垂直方向上延伸的一個或多個通道，使得位元線與...

本文公開一種用于基板支撐組件中的壓力密封的設備及方法。在一個實例中，一種用于壓力容納的設備包括金屬芯環與外涂層，所述金屬芯環經配置設置在基板基座的殼體內，所述外涂層設置在所述金屬芯的外表面上，所述外涂層可操作以承受約125牛頓/毫米2或...

提供了用于清潔和潤濕半導體基板的方法和系統。方法和系統包括用具有比氧氣更高的在潤濕劑中的溶解度的氣體在容納所述半導體基板的盆狀件中形成氣氛。方法和系統包括在維持所述氣氛的同時用噴灑頭將所述潤濕劑噴灑到所述基板上。方法和系統包括可旋轉地平...

本案公開了一種用于熱調節腔室部件的非暫時性計算機可讀介質。所述非暫時性計算機可讀介質包括當被執行時導致進行多個操作的指令。所述操作包括讀出半導體處理腔室內的腔室部件的第一溫度，將所述第一溫度與所述腔室部件的第一設定點相比較，以及調節供應...

公開了在沉積腔室制造期間的微粒物的實時檢測。公開的實施方式描述了一種系統，該系統包括：沉積腔室；產生入射光束的光源，其中該入射光束用于照射沉積腔室的區域；和相機，收集源自沉積腔室的照射區域的散射光，其中當第一入射光束與沉積腔室的照射區域...

本文披露的實施方式大體涉及形成薄膜晶體管(TFT)的方法。所述方法包括形成一個或多個金屬氧化物層和/或多晶硅層。使用具有電感耦合等離子體(ICP)的高密度等離子體化學氣相沉積(HDP?CVD)工藝將柵極界面(GI)層沉積在一個或多個金屬...

本公開內容的多個實施方式涉及通過減少沉積膜的懸垂部來擴大基板特征結構的開口寬度的方法。本公開內容的一些實施方式利用高能量偏壓脈沖來蝕刻基板特征結構的開口附近的沉積膜。本公開內容的一些實施方式在不損壞下面的基板的情況下蝕刻沉積膜。

提供了用于形成設置在基板上的有機發光二極管(OLED)結構的方法和設備。在一個實施方式中，提供了一種用于形成有機發光二極管(OLED)基板的方法，所述方法包括：在第一方向上在基板上形成第一導電層；在所述第一導電層的一部分上形成介電層，其...

用于調試半導體加工工具的方法和設備包括將移動設施車連接到半導體加工工具；將來自所述移動設施車的設施提供給半導體加工工具；以及使用通過所述連接的移動設施車提供的設施操作所述半導體加工工具。

一種對準組件包括傳感器和蓋，所述蓋包括第一窗口。所述對準組件還包括旋轉接頭，所述旋轉接頭耦接到所述蓋。所述對準組件還包括夾具，所述夾具耦接到所述旋轉接頭并且可繞著所述旋轉接頭相對于所述蓋樞轉。所述夾具包括可延伸臂，所述可延伸臂可從縮回位...

本公開內容涉及一種用于與半導體處理腔室一起使用的輻射反射器組件和一種具有所述輻射反射器組件的基板處理系統。所述輻射反射器組件包括殼體主體，所述殼體主體包括內部圓柱形壁；以及反射器盤，所述反射器盤包括中心孔、底部反射表面和頂表面。所述反射...

一種方法包括透過處理裝置取得指示基板的重迭誤差的第一數據。所述方法進一步包括基于所述第一數據產生指示所述基板的第一應力均勻性的第二數據。所述方法進一步包括基于所述第二數據實行校正動作。

所描述的實施例提供具有相位匹配區域的波導組合器。波導包括一個或多個光柵。包括光柵結構的一個或多個光柵設置在波導基板上方。相位匹配區域設置在一個或多個光柵與波導區域之間的波導基板上方。相位匹配區域包括波導層，該波導層具有從波導層的第一端到...

一種用于形成氧化物層的方法包括在形成于基板上的溝槽的側壁上形成保護性層間氧化物，通過利用含氮工藝氣體的等離子體增強原子層沉積(PEALD)工藝在所述保護性層間氧化物上形成氮化硅層，所述氮化硅層具有從遠離所述保護性層間氧化物的高濃度到靠近...

半導體處理的示例性方法可包括將含硅前驅物、含氮前驅物和雙原子氫流入半導體處理腔室的處理區域。基板可以被容納在半導體處理腔室的處理區域內。方法還可以包括形成含硅前驅物、含氮前驅物和雙原子氫的等離子體。等離子體可以在15?MHz以上的頻率下...

本公開內容提供了用于在TFT顯示應用、半導體、或存儲器應用中在含金屬層上執行退火處理的方法。在一個實例中，一種在基板上形成含金屬層的方法包括以下步驟：在處理腔室中的基板上供應含氧氣體混合物，所述基板包括設置在光學透明基板上的含金屬層；將...

用于形成波導的方法和設備。一個示例波導通常包括基板、設置于基板的第一表面上方的第一裝置層、設置于基板的第二表面上方的第二裝置層、設置于第一裝置層上方的第一光柵、和設置于第二裝置層上方的第二光柵，所述第一光柵包括在第一方向上布置的多個第一...

本公開內容提供了一種方法，包括在波導上方沉積鏡，所述波導具有輸入耦合器和輸出耦合器。封裝層沉積在鏡上方。抗蝕劑形成在所述輸入耦合器上方，從而暴露所述封裝層的在非輸入耦合器區域上方的殘余封裝部分。去除所述封裝層的所述殘余封裝部分，從而暴露...

此處所述的實施例涉及具有多通道分離器線軸的氣體管線系統。在這些實施例中，氣體管線系統將包括配置成供應第一氣體的第一氣體管線。第一氣體管線通過在其中流動第一氣體的多個第二氣體管線耦合至多通道分離器線軸。多個第二氣體管線中的各個氣體管線將具...