半導體處理的示例性方法可包括在半導體基板上形成氮化硅層。所述氮化硅層可由第一粗糙度表征。所述方法可包括在所述氮化硅層上執行沉積后處置。所述方法可包括降低所述氮化硅層的粗糙度，使得所述氮化硅層可由小于所述第一粗糙度的第二粗糙度表征。

本公開內容的多個實施方式一般涉及富氮氮化硅和多個用以沉積富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多個晶體管和其他裝置。在一個或多個實施方式中，一種鈍化膜堆疊物包含氧化硅層，氧化硅層設置于工件上；和富氮氮化硅層，富氮氮化硅層設置于氧化硅層上。...

描述了可變孔閥，所述可變孔閥包括第一固定板、第二固定板和它們之間的可移動板。所述可移動板通過密封元件連接至所述第一固定板和所述第二固定板。所述可移動板通過致動器環的旋轉而移動得更靠近或更遠離所述第一固定板，所述致動器環旋轉連接至所述可移...

本文所描述的實施例通常涉及基板處理設備。在一個實施例中，本文公開了一種用于基板處理腔室的處理套件。處理套件包括具有第一環部件和第二環部件的環、滑動環、和致動機構。第一環部件與第二環部件相連接，使得第二環部件可相對于第一環部件移動，從而在...

公開了使用摻雜膜層來制造存儲器裝置通道孔的方法。一種方法可包括提供基板及在基板上方形成垂直堆疊，其中垂直堆疊包括多個交替材料層。方法可進一步包括形成通過垂直堆疊的通道孔，沿著通道孔的側壁形成氧化物?氮化物?氧化物層，在氧化物?氮化物?氧...

在本文中本公開的實施例包括一種用于處理基板的設備。更特定地，本公開的實施例提供了一種包括靜電卡盤(ESC)組件的基板支撐組件。所述ESC組件包括冷卻基底，所述冷卻基底具有頂表面以及外徑側壁；ESC，所述ESC具有基板支撐表面、底表面以及...

本發明總體上提供了一種用于真空腔室的氣體擴散器支撐結構的裝置和方法。所述氣體擴散器支撐結構包括具有中心孔的背板和氣體偏轉器，所述氣體偏轉器的長度和寬度不等于透過多個向外緊固件連接到所述背板的長度，所述多個向外緊固件連接到形成在所述背板中...

一種數字光刻系統包括經配置為支撐基板的平臺、在平臺之上設置的橋接器、及耦合到橋接器的第一光刻處理單元。耦合到橋接器的第一光刻處理單元可以包括掃描單元、光刻曝光單元、和通過掃描單元及光刻曝光單元共享的光學系統。掃描單元在測量操作期間使用光...

本文所公開的實施方式包括遠程等離子體源。在實施方式中，所述遠程等離子體源包括外殼，其中流體通道自所述外殼的第一端通到第二端。在實施方式中，施用器與所述流體通道相交。在實施方式中，所述施用器包括介電主體，及插入所述介電主體中的孔中的銷。

半導體處理的方法可包括提供含氫前驅物至半導體處理腔室的處理區域。基板可設置在處理區域內的基板支撐件上。含硅與氮材料層可設置在基板上。方法可包括形成含氫前驅物的等離子體流出物。方法可包括使含硅與氮材料層接觸含氫前驅物的等離子體流出物。此接...

示例性半導體處理方法可包括提供處理前體至半導體處理腔室的遠程等離子體系統。所述方法可包括在所述遠程等離子體系統中產生所述處理前體的等離子體流出物。所述方法可包括使所述處理前體的等離子體流出物流動到所述半導體處理腔室的處理區域。包括交替材...

本文中描述的實施例大體涉及一種基板處理設備。在一個實施例中，本文中公開了一種用于基板處理腔室的工藝套件。工藝套件包括：環，環具有第一環部件和第二環部件；可調整調諧環；以及致動機構。第一環部件與第二環部件對接，使得第二環部件相對于第一環部...

公開了一種石墨烯阻擋層。一些實施例涉及能夠防止從填充層擴散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻擋層。一些實施例涉及防止氟從鎢層擴散到下面的基板中的石墨烯阻擋層。附加實施例涉及包含石墨烯阻擋層的電子裝置。

半導體處理的示例性方法可包括將含硅前體提供到半導體處理腔室的處理區域?；蹇稍O置在所述半導體處理腔室內。所述方法可包括在所述基板上形成含硅材料。所述含硅材料可通過大于或約?200?MPa的應力表征。所述方法可包括在大于或約700℃的溫度...

本公開內容的實施方式涉及與增強現實波導組合器有關的裝置及方法。裝置包括波導組合器，波導組合器包括輸入耦合器，該輸入耦合器是可操作的以接收光并且將光輸入耦合至波導組合器中；與輸入耦合器的光柵相鄰的出瞳擴展器（ERE），該ERE具有分級結構...

本公開案的實施方式包括清潔基板的設備及方法。清潔基板的方法包括：通過第一馬達來旋轉基板桌，輸送流體至基板的表面，所述基板放置于清潔模塊的所述基板桌的支撐表面上；以清潔速度來旋轉清潔墊，且使用控制器來感測由第二馬達所產生的初始扭力值；使用...

本文的實例系關于三維(3D)動態隨機存取記憶體(DRAM)及對應的方法。在一實例中，提供了堆疊半導體結構，其中此堆疊半導體結構包括形成在基板上的復數個單元堆疊。每個單元堆疊具有半導體層、第一介電層、第一閘電極，及電容器部分的第二介電層。...

示例性基板處理系統可包括傳送區域殼體，所述傳送區域殼體界定與多個處理區域流體耦接的傳送區域。傳送區域殼體的側壁可界定用于提供和接收基板的可密封存取。系統可包括多個基板支撐件，所述多個基板支撐件設置在傳送區域內。系統可還包括具有中央轂的傳...

半導體處理的范例方法可包括提供沉積前體至半導體處理腔室的處理區。基板可安置在所述處理區內。所述沉積前體可包括含硅前體。所述方法可包括提供摻雜物前體至所述半導體處理腔室的所述處理區。所述摻雜物前體可包括含磷前體。所述方法可包括產生所述沉積...

本文描述了一種用于處理基板的方法及設備。所描述的方法及設備使化學氣相沉積(CVD)腔室能夠在不同的溫度下處理基板（本文也稱為晶圓）。該處理腔室包括腔室主體、安置在腔室主體內并具有頂表面的基板支撐件、穿過基板支撐件安置的多個基板升降銷及遮...